ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区分

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区分 ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH都是半导体存储器，但是它们之间有着很大的区别。 ROM（Read Only Memory）是一种不可改写的存储器，它在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。ROM有很多种，PROM是可编程的ROM，EPROM（可擦除可编程ROM）是通过紫外光的照射擦出原先的程序，EEPROM是通过电子擦出。 RAM（Random Access Memory）是一种可以随机存取的存储器，RAM有两大类，一种是静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵。另一种是动态RAM（DynamicRAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多。 DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等。DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。 内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。 FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势）。FLASH主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。 ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH都是半导体存储器，但是它们之间有着很大的区别，每种存储器都有其特点和应用场景。