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电源技术中的安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列,推出18款新计算器件
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2020-12-08
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—全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。 这些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。 安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“
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电源技术中的安森美半导体拓展功率电源技术中的安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列,推出产品系列,推出
18款新计算器件款新计算器件
—全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推
出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算
应用中的CPU/GPU供电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。 这些新型
的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷
和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。 安森美半导体PowerFET部副总裁David
Garafano说:“
—全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出18款优
化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供
电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。
这些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷
和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。
安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要,安森美半导体一直在拓
展PowerFET产品系列,以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资
源,所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”
器件器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTD4804N 30 V 117 A 4 m? 30 nC
NTD4805N 30 V 88 A 5 m? 20.5 nC
NTD4806N 30 V 76 A 6 m? 15 nC
NTD4808N 30 V 63 A 8 m? 11.3 nC
NTD4809N 30 V 58 A 9 m? 10.7 nC
NTD4810N 30 V 54 A 10 m? 9 nC
NTD4813N 30 V 40 A 13 m? 6.9 nC
NTD4815N 30 V 35 A 15 m? 6 nC
其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批
量预算单价在0.71至0.91美元之间。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTMFS4833N 30 V 191 A 2 m? 39 nC
NTMFS4834N 30 V 130 A 3 m? 33 nC
NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 m? 25 nC
NTMFS4836N 30 V 90 A 4 m? 19.1 nC
NTMFS4837N 30 V 74 A 5 m? 14.2 nC
NTMFS4839N 30 V 66 A 6 m? 12 nC
NTMFS4841N 30 V 57 A 7 m? 11.9 nC
NTMFS4741N 30 V 67 A 8 m? 15 nC
NTMFS4744N 30 V 53 A 10 m? 10 nC
NTMFS4747N 30 V 44 A 13 m? 12 nC
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