功率型LED结温和热阻在不同电流下性质研究.pdf

通过对不同驱动电流下各种颜色LED 结温和热阻测量, 发现各种颜色LED 的热阻值均随驱动电流的增加而变大, 其中基于InGaN 材料的蓝

电压法LED结温及热阻测试原理

文章为大家简述LED 及其灯具的主要热性能指标，电压温度系数K、结温和热阻的测试原理、测试设备、测试内容和测试方法，以供LED 研发、生产和应用企业参考。

LED电源驱动电路热阻详细计算方法

高温或内部功耗产生的过多热量可能改变电子元件的特性并导致其关机、在指定工作范围外工作，甚或出现故障。电源管理器件(及其相关电路)经常会遇到这些问题，因为输入与负载之间的任何功耗都会导致器件发热，所以必须将热量从这些器件中驱散出来，使其进入PCB、附近的元器件或周围的空气。即使在传统高效的开关电源中，当设计PCB和选择外部元器件时，也都必须考虑散热问题。文章介绍了LED电源驱动电路热阻详细计算方法。

论文研究-大功率LED参考热阻测试系统研究与分析 .pdf

大功率LED参考热阻测试系统研究与分析，王伟，王万良，叙述了利用电学测试方法测量大功率LED参考热阻的原理和方法。提出了一种新的基于电学测试的参考热阻测试方法—脉冲测量法。此种方

影响热阻的因素及降低热阻的方法

文章将为大家介绍影响LED组件热阻的主要因素有哪些以及如何降低LED组件的热阻。

关于设计芯片热阻的资料

本资料，作为客户热量设计时的参考，关于本公司的热阻的各参数定义、测量方法等在此进行解说。 ■背景 通常，芯片的结温(Junction Temperature)（Tj）每上升 10℃，器件的寿命就会大约减为一半，故障率也会大约增大２倍。Si 半导体在 Tj 超过了 175℃时就有可能损坏。由此，使用时就必须极力降低 Tj，以容许温度（通常 80～100℃）为目标进行热量设计。但是，对于功率器件那样的高输出元件，要把 Tj 抑制在容许温度以下其实是比较困难的，所以通常以规格书里揭载的最高容许温度的 80%为基准来设计 Tj。另外、即使器件的封装相同，根据器件的芯片尺寸、引线框架的定位尺寸、实装电路板的规格等不同、热阻值也会发生变化，需要特别注意。

浅谈影响LED元件热阻的因素

影响LED元件热阻的主要因素有哪些呢？如何降低LED元件的热阻呢？文章为大家介绍一下。

LED结温、热阻构成及其影响.pdf

LED PN结温上升会引起LED光学、电学和热学性能的变化，甚至过高的结温还会导致封装材料(例如环氧树脂)、荧光粉物理性能变坏，LED

LED热阻测试方法的研究进展.pdf

本文从LED热阻测试方法原理以及热学模型出发, 介绍了向列型液晶温度记录（NLCT）、电学参数法、光谱法以及光功率法、管脚温度法

PT100 热阻和温度值自动计算

很方便实用的PT100热阻和温度自动计算器，对采用PT100作文度传感器的温控系统设计很有帮助！

LED熱阻計算方法

随着 LED 超高亮度的出现及 LED 色彩的丰富，LED 的应用也由最初的指示扩展到交通、大屏幕显示、汽车刹车灯、转向灯、工程建筑装饰灯、特种照明领域并正在向普通照明积极推进。 阻碍这一发展的最大敌害是 LED 的热量管理，因此从事热阻、结温、热参数匹配等问题的研究和改进具有深远的意义。

功率型LED结温和热阻在不同电流下性质研究

相同驱动电流下，基于AlGaInP材料的1W红色、橙色LED的结温要低于基于InGaN材料的蓝色、绿色、白色LED的结温。分别用正向电压法和红外热像仪法测量了实验室自制的1mm×1mm蓝光芯片结温，比较了两种方法的优缺点。结果表明，电学法测量简单快捷，测量结果可以满足要求。

MAX30102血氧心率传感器官方指定文档（本人开发手环所使用的）.zip

一般描述 MAX30102是一款集成式脉搏血氧仪和心率监测模块。 它包 括内部LED，光电探测器，光学元件以及环境光抑制的低 噪声电子元件。 MAX30102提供了一个完整的系统解决方 案，以简化移动设备和可穿戴设备的设计过程。 MAX30102采用1.8V单电源供电，内部LED采用独立的5.0V 电源供电。 通讯采用标准I2C兼容接口。 该模块可以通过 零电流软件关闭，使电源轨始终保持供电状态。 应用 ● 可穿戴设备 ● 健身助理设备 优点和特点 ● LED反射式解决方案中的心率监测器和脉搏血氧仪 传感器 ● 小巧的5.6mm x 3.3mm x 1.55mm 14引脚光学模块 • 集成的盖玻片提供最佳，稳定的性能 ● 移动设备的超低功耗操作 • 可编程采样率和LED电流以节省电力 • 低功耗心率监测器（<1mW） • 超低关断电流（0.7μA，典型值） ● 快速的数据输出能力 • 高采样率 ● 强大的运动神器弹性 • 高信噪比 ● -40°C至+ 85°C工作温度范围 订购信息出现在数据表的末尾。 系统图 应用 硬件框架 DRIVER 19-7740; Rev 0; 9/15 MAX30102 High-Sensitivity Pulse Oximeter and Heart-Rate Sensor for Wearable Health www.maximintegrated.com Maxim Integrated │ 2 绝对最大额定值 VDD到 GND ............................................ ........ .....- 0.3V至+ 2.2V GND到 PGND ............................................... .... ...- 0.3V至+ 0.3V X_DRV，VLED +至 PGND ......................................- 0.3V至+ 6.0V 所有其他引脚接 GND ..........................................- 0.3V到+ 6.0V 输出短路电流持续时间.......................连续 连续输入电流到任何端子....................±20mA ESD，人 体模型（HBM）.............. ......................... 2.5kV以上 闩锁免 疫................................................ ...... .....±250毫安 连续功耗（TA= + 70°C） OESIP（降低5.5mW /°C + 70°C）............................ 440mW 工作温度范围.......................... -40°C至+ 85°C结 温.......... ............................................ .. + 90°C 焊接温度（回流焊）....................................... + 260°C 存储温度范围............................ -40°C至+ 105°C 封装热特性（注1） OESIP 结到环境热阻（θJA）........ 180°C / W 结至外壳热阻（θJC）................. 150°C / W 注1：使用四层板使用JEDEC规范JESD51-7中描述的方法获得封装热阻。 有关封装散热注意事项的详细信息，请参阅 www.maximintegrated.com/thermal-tutorial. 电气特性 除非另有说明，典型值为TA= 1.8V，VIR_LED += VR_LED += 5.0V，TA= -40°C至+ 85°C。 + 25°C）（注2） 参数 符号 条件 MIN TYP MAX 单位 电源 电源电压 VDD 由RED和IR计数容差保证 1.7 1.8 2.0 V LED电源电压 R_LED +或IR_LED +到PGND VLED + 通过LED驱动器的PSRR保证（仅限 R_LED +和IR_LED +） 3.1 3.3 5.25 V SpO2和HR模式，PW =215μs， 50sps 600 1200 仅IR模式，PW =215μS，50sps 600 1200 关机时的电源电流 ISHDN TA= + 25°C，MODE = 0x80 0.7 10 µA 脉冲氧化/心率传感器特性 ADC分辨率

大功率LED 器件热阻的热敏感性研究

随着发光二极管(LED)功率的提高，散热的挑战性也越来越高，而热量的集聚会引起LED 结温的上升。过高的结温不但会影响LED 的光功率和光通量等性能参数，还会使器件寿命急剧衰减。因此掌握LED 器件的温升规律成为提高器件可靠性的关键。实验中选取了不同封装结构的LED 器件，对不同驱动电流、不同基板温度和不同封装材料的LED 器件分别进行了热阻、光功率等性能测试。实验发现，随着电流的增加或者基板温度的升高，LED 器件的热阻呈现先下降后上升的趋势，不同封装基板的器件变化幅度有所不同；升高基板温度时，铝基板封装的LED 器件由于结温高光功率衰减快热阻呈现下降趋势。结果表明互连材料层、基板的导热能力是影响LED 器件热阻差异的关键。

準確測量大功率LED熱阻的新方法

准确测量大功率 LED 的热阻, 关键是准确地确定 LED 的结温增量。首先利用正向 电压法获得 LED 的结温; 通过测量 LED 的降温曲线, 计算获得 LED 稳定工作时底座的温度, 从而 得到 LED 的结温相对底座温度的增量。然后, 再与注入电功率相除, 即可得到准确的热阻。与常 规方法相比, 避免了直接测量 LED 底座温度中界面热阻的影响, 使得测量 LED 的热阻更加准确、 方便。该方法还可以用于测量贴片封装 LED 等常规方法难以测量的 LED 以及用于分析大功率 LED 二次封装时引入的热阻, 为评价大功率 LED 的封装质量提供了一种有效的评测手段

功率LED热设计关键之如何针对热阻进行热管理.pdf

众所周知，LED的发光特性与其工作条件有很大关系。应用在LED上的前向电流是主要的影响因素，电流越高，LED产生的光通量也越多。

半导体器件的热阻和散热器设计.pdf

半导体元器件的热阻和散热器设计。

嵌入热阻的矿井通风优化方法研究

随着矿井开采深度的不断增加,热害问题已经成为矿井生产中的一个难题。首先介绍了回路法的基本原理和计算步骤,然后引入了热阻的概念,并利用回路法对实际按需分风网络进行了通风优化。对热害严重的巷道进行了热阻计算,通过将热阻嵌入通风网络后进行解算,得到了新的优化方案。对比2种优化方案,可以看出热阻的存在对通风优化过程有着十分重要的影响。

关于高功率LED封裝的一些事

LED照明应用的快速兴起，预期将扩大高功率LED的产品需求，为确保高功率LED能符合市场要求，封装业者试图借由改善封装材料、晶粒配置等方面，以真正达成高性价比与延长使用寿命的目的。产业界时常发表的高功率发光二极管(LED)光源，多为数十瓦甚至上百瓦的LED封装技术，以光系统应用端的角度观之，实无太大意义，反而是如何能将数十至上百瓦的热消除才是关键。而要达成此一目标，须能有效降低单一LED封装之热阻值(Rjc)。LED封装所驱动的功率大小受限于封装体热阻与所搭配之散热模块(Rca)，两者决定LED的系统热阻和稳态所能忍受的最大功率值。为降低封装热阻，业者试图加大封装体内LED晶粒分布距离，然LED晶粒分布面积不宜太大，过大的发光面积会使后续光学难以处理，也限制该产品的应用。不可一味将更多的LED晶粒封装于单一体内，以求达到高功率封装目的，因为仍有诸多因素待考虑，尤其是对于应用面。多晶粒封装材料不断发展随着LED封装功率提升，多晶粒封装(Multi-chip Package)成为趋势，传统高功率LED封装多采用塑料射出之预成型导线架(Pre-mold Lead Frame)方式(图1a)，