长波长HgCdTe光伏红外探测器暗电流机理的温度依赖性分析

所需积分/C币:5 2021-02-24 00:58:32 254KB PDF
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在40-150 K的温度范围内测量形成128元件阵列的n-on-p Hg1-xCdx Te长波长红外光电二极管的电阻-电压曲线。通过同时模式非线性拟合程序拟合实验获得的特性。 RV曲线拟合的物理模型包括由扩散,生成重组,陷阱辅助隧穿,带间隧穿和串联电阻效应引起的暗电流机制。 从测量的RV曲线中提取了六个随温度变化的特征参数。 低温下提取的电流分量的特性表明隧穿效应的显着贡献,这是反向偏置大于约50 mV的主要泄漏电流机制。 汞空位诱导的陷阱陷阱在较高的温度下(通常大于120 K)趋向于转变为供体类型,而在60-40 K的温度下可以保持稳定。离子注入诱发的陷阱的稳定温度约为90-60 K,在高温

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