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电源技术中的基于SG3525A和IR2110的高频逆变电源设计
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2020-12-13
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摘 要:本文简述了PWM控制芯片SG3525A和高压驱动器IR2110的性能和结构特点,同时详细介绍了采用以SG3525A为核心器件的高频逆变电源设计。 关键词:PWM;SG3525A;IR2110;高频逆变电源 引言 随着PWM技术在变频、逆变频等领域的运用越来越广泛,以及IGBT、PowerMOSFET等功率性开关器件的快速发展,使得PWM控制的高压大功率电源向着小型化、高频化、智能化、高效率方向发展。 本文采用电压脉宽型PWM控制芯片SG3525A,以及高压悬浮驱动器IR2110,用功率开关器件IGBT模块方案实现高频逆变电源。另外,用单片机控制技术对此电源进行控制,使整个系统
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电源技术中的基于电源技术中的基于SG3525A和和IR2110的高频逆变电源设计的高频逆变电源设计
摘 要:本文简述了PWM控制芯片SG3525A和高压驱动器IR2110的性能和结构特点,同时详细介绍了采用以
SG3525A为核心器件的高频逆变电源设计。 关键词:PWM;SG3525A;IR2110;高频逆变电源 引言 随着
PWM技术在变频、逆变频等领域的运用越来越广泛,以及IGBT、PowerMOSFET等功率性开关器件的快速发
展,使得PWM控制的高压大功率电源向着小型化、高频化、智能化、高效率方向发展。 本文采用电压脉宽型
PWM控制芯片SG3525A,以及高压悬浮驱动器IR2110,用功率开关器件IGBT模块方案实现高频逆变电源。另
外,用单片机控制技术对此电源进行控制,使整个系统
摘 要:本文简述了PWM控制芯片SG3525A和高压驱动器IR2110的性能和结构特点,同时详细介绍了采用以SG3525A为核心
器件的高频逆变电源设计。
关键词:PWM;SG3525A;IR2110;高频逆变电源
引言
随着PWM技术在变频、逆变频等领域的运用越来越广泛,以及IGBT、PowerMOSFET等功率性开关器件的快速发展,使得
PWM控制的高压大功率电源向着小型化、高频化、智能化、高效率方向发展。
本文采用电压脉宽型PWM控制芯片SG3525A,以及高压悬浮驱动器IR2110,用功率开关器件IGBT模块方案实现高频逆变电
源。另外,用单片机控制技术对此电源进行控制,使整个系统结构简单,并实现了系统的数字智能化。
SG3525A性能和结构
SG3525A是电压型PWM集成控制器,外接元 器件少,性能好,包括开关稳压所需的全部控制电路。其主要特性包括:外同
步、软启动功能;死区调节、欠压锁定功能;误差放大以及关闭输出驱动 信号等功能;输出级采用推挽式电路结构,关断速
度快,输出电流±400mA;可提供精密度为5V±1%的基准电压;开关频率范围100Hz~400KHz。
其内部结构主要包括基准电压源、欠压锁定电路、锯齿波振荡器、误差放大器等,如图1所示。
图1 SG3525A内部框图及引脚功能
IR2110性能和结构
IR2110是美国IR公司生产的高压、高速PMOSFET和IGBT的理想驱动器。该芯片采用HVIC和闩锁抗干扰制造工艺,集成
DIP、SOIC封装。其主要特性包括:悬浮通道电源采用自举电路,其电压最高可达500V;功率器件栅极驱动电压范围
10V~20V;输出电流峰值为2A; 逻辑电源范围5V~20V,而且逻辑电源地和功率地之间允许+5V的偏移量;带有下拉电阻的
COMS施密特输入端,可以方便地与LSTTL和CMOS电平匹配;独立的低端和高端输入通道,具有欠电压同时锁定两通道功
能; 两通道的匹配延时为10ns;开关通断延时小,分别为120ns和90ns;工作频率达500kHz。
其内部结构主要包括逻辑输入,电平转换及输出保护等,如图2所示。
图2 IR2110内部框图及引脚功能
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weixin_38513669
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