东芝宣布已经开发出一个新的GaN（Gallium nitride）功率型场效应管（FET），用于Ku波段（12GHz到18GHz）频率范围，当输出功率为65.4W时可达14.54GHz。这一新三极管的主要应用为载有高容量信号的卫星微波通信的基站，包括高清晰广播。东芝计划这一新的功率FET将在2007年底试销，2008年3月量产。 接近Ku波段的微波放大器的焦点在于，在这一带宽中用半导体尤其是GaN器件取代传统的电子管，因为GaN器件可以以较高的微波频率提供有利的高功率特性。 新的功率型FET具有一个高电子迁移率晶体管（HEMT）架构，Toshiba把这一架构优化于Ku波段，并且通过通孔技术
