4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型 (2011年)

提出了一种基于物理的4H-SiC n-MOSFET反型层迁移率模型。基于第一性原理的准二维库仑散 射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响,模型中不包含任何经验参数,可方便地 应用于二维器件模拟软件。推导出 SiC表面粗糙散射迁移率模型的参数与界面粗糙度之间的数值关系。 模拟结果表明:库仑散射机制主要在近表面处起作用;随着栅电压增大,表面粗糙散射所起的作用逐渐 显著;较高掺杂的 SiC MOSFET表面粗糙散射成为限制反型层迁移率的最主要散射机制。