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Renesas FRD Wafer的路线图

Renesas

WAFER

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Renesas目前在大陆推广其IGBT wafer产品，本PPT就是介绍开发的线路图以及产品的特点

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High Voltage Power Devices Design Dept.

Power Devices Business Div

Analog & Power Devices Business Unit

Renesas Electronics Corporation

No:AP13196

Wafer Business of IGBT



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No:AP13196

Agenda

Road map for IGBT

Lineup of IGBT (600V& 1200V)

Typical IGBT Dai Spec

Packing specification



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No:AP13196

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No:AP13196

Design of IGBTs for each applications

Renesas develops the best product for the application !

•

••

•High current

Low Vce(sat)

Low V

•

••

•

High speed

switching

High capability

(Short circuit time)

High efficiency

•

••

•

Built-in FRD

•

••

•

Small PKG

(TO-220Full Mold

LDPAK, MP-3A)

Wafer Shipment

Miniaturization

High reliability

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No:AP13196

2006 2007 2008 2009 2010 2011

2012

High Performance, High Efficiency

2013

Year

G5-H

600V

Planer Technology

Trench Technology

HiGT Te

chnology

IGBT for inverter development plan

1200V

Planer Technology

1,200V

G6H

VGE=



30V

G7H

Trench Technology

1000V

600V

Trench Technology

600V

G6H

VGE=



30V

Trench Technology

Tsc



10us

6 inch

8 inch

Reverse Conducting

G6H-RC

VGE=



30V

1,100-1,200V

Tsc:8us(typ)

600V

VGE=





30V

6 inch

8 inch

Tsc

Series





:5us(typ)

Series





:8us(typ)

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