HHBY THB8128
北京海华博远科技发展有限公司 2011 年 08 月
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四、 电器参数:
1、 电器特性 Electrical Characteristics (Ta 25°C, VREF 1.5 V, VM 24 V)
项目 符号 条件 最小 标准 最大 符号
待机时消耗电流 IMstn ST=”L” 100 μA
消耗电流 IM ST=”H”、OE=”H”、无负载 4 mA
TSD 温度 TSD 150 180 210 ℃
Thermal Hysteresis 值 ΔTSD 40 ℃
IinL1 VIN=0.8V 8 μA 逻辑端子输入电流
IinH1 VIN=5V 50 μA
逻辑输入“H”Level 电压 Vinh 2.0 V
逻辑输入“L”Level 电压 Vinl 0.8 V
FDT 端子“H”Level 电压 Vfdth 3.5 V
FDT 端子“M”Level 电压 Vfdtm 1.1 3.1 V
FDT 端子“L”Level 电压 Vfdtl 0.8 V
斩波频率 Fch Cosc1=100pF 100 KHz
OSC1 端子充放电电流 Iosc1 10 μA
Vtup1 1 V 斩波振荡电路
电压阈值
Vtdown1 0.5 V
VREF 端子输入电流 Iref VREF=1.5V -0.5 μA
DOWN 输出残电压 VolDO Idown=1mA 400 mV
MO 端子残电压 VolMO Imo=1mA 400 mV
通电锁定切换频率 Falert Cosc2=1500pF 1.6 Hz
OSC2 端子充放电电流 Iosc2 10 μA
Vtup2 1 V 通电锁定切换振荡电路
电压阈值
Vtdown2 0.5 V
Blanking 时间 Tbl 1 uS
输出
Ronu Io=4.0A、上側 ON 阻抗 0.25 Ω
输出 ON 阻抗
Rond Io=4.0A、下側 ON 阻抗 0.15 Ω
输出漏电流 Ioleak VM=50V 50 μA
二极管正向压降 VD ID=-4.0A 1 V
电流设定基准电压 VREF VREF=1.5V、電流比 100% 300 mV