1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V,-10 V,-
9.3 V,则这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管
2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P 沟道增强型 MOS 管
B.P 沟道结型场效应管
C.N 沟道增强型 MOS 管
D.N 沟道耗尽型 MOS 管
3.在图示 2 差分放大电路中,若 uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为 10 mV,共模输入电压为 10 mV。
B.差模输入电压为 10 mV,共模输入电压为 20 mV。
C.差模输入电压为 20 mV,共模输入电压为 10 mV。
D.差模输入电压为 20 mV,共模输入电压为 20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大
5.在图示电路中,Ri 为其输入电阻,RS 为常数,为使下限频率 fL 降低,应( )。
A.减小 C,减小 Ri B.减小 C,增大 Ri
C.增大 C,减小 Ri D.增大 C,增大 Ri
6.如图所示复合管,已知 V1 的 b1 = 30,V2 的 b2 =
50,则复合后的 b 约为( )。
A.1500 B.80 C.50 D.30
7.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即 RC 串并
联选频网络和( )。
A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路
8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( )。
A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器
三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1 的 b1 、rbe1,V2 的
b2 、rbe2,电容 C1、C2、CE 在交流通路中可视为短路。
1.分别指出 V1、V2 的电路组态;
2.画出图示电路简化的 H 参数微变等效电路;
3.计算中频电压放大倍数 Au,输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。(12 分)
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