MOSFET 器件性能
参数 名称
IR 第三代
IRFP460
MTW20N50E
(TYP)
IR 新一代
IRFP460LC
FQL
40N50
2SK
2370
FQA24N50F
(TYP)
(V)
漏—源击穿
电压
500 500 500 500 500 500
(V)
栅源门限电压
2.0~3.0 3.0~5.0 2.5~3.5
(A)
通态漏极电流
20 20 40 20
24(25 )
(
)
通态电阻
0.27 0.2 0.27 0.085 0.32 0.156
(mJ)
重复雪崩能量
28 28 1780 285 1100
(pF)
输入电容
4200 3880 3600 5800 2400 3500
(pF)
输出电容
870 452 440 880 500 520
(pF)
反向传输电容
350 96 39 95 45 55
(nC)
总栅电荷
210 100 120 155 65 90
(nC)
栅--源电荷
29 44 32 37 15 23
(nC)
栅--漏 Miller
电荷
110 49 78 30 52
(ns)
导通延迟时间 18 29 18 140 35 80
(ns)
上升时间 59 90 77 440 60 250
(ns)
关断延迟时间 110 97 40 350 105 200
(ns)
下降时间 58 84 43 250 65 155
(V)
体二极管
正向压降
1.8 0.916 1.8 1.4 1.0 1.4
(ns)
体二极管
反向恢复时间
570 431 570 520 500 250
资源评论
