硅集成电路工艺基础 关旭东
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2018-12-28
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s（硅工艺） 课件 
（s）第二章 氧化（part2）.ppt 527KB （s）第六章 化学气相淀积.ppt 3.35MB ~$（s）第八章 光刻与刻蚀工艺.ppt 165B （s）第四章 离子注入.ppt 2.77MB 作业 第二章 氧化-作业.ppt 82KB ~$余误差函数表.ppt 165B 第六七章 CVD和外延（作业）.ppt 46KB 第四章 离子注入(作业).ppt 36KB 余误差函数表.ppt 53KB 第九章 金属化与多层互连(作业).ppt 40KB 第八章 光刻与刻蚀工艺(作业).ppt 46KB ~$第四章 离子注入(作业).ppt 165B 第三章 扩散(作业).ppt 62KB （s）第三章 扩散（part1）.ppt 1.21MB 已讲 （s）第九章 金属化与多层互连.ppt 2.49MB （s）第五章 物理气相淀积.ppt 1.22MB （s）第二章 氧化（part3）.ppt 1.49MB （s）第二章 氧化(part1).ppt 1.01MB （s）第八章 光刻与刻蚀工艺.ppt 4.46MB （s）第三章 扩散（part2）.ppt 920KB （s）第七章 外延.ppt 3.24MB （s）第一章 衬底制备.ppt 10.05MB ~$（s）第三章 扩散（part1）.ppt 165B 余误差.ppt 75KB资源评论
