W25Q64中文文档

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W25Q64系列FLASH存储器可以为用户提供存储解决方案,具有PCB板占用空间少,引脚数量少,功耗低等特点。与普通串行flash相比,使用更灵活,性能更出色。
瑞嵌 数据于册嵌入式 专属论坛: /Cs VCC /HOLD /P CLK GND W25×16,W25X32,W25×64 6.引脚描述:S0C208mi|封装、PDIP300mi封装、WSON6×5MM 引脚号( PAD.NO)引脚名称(PAD.NAME)输入输出类型(1/0)功能( FUNCTION 片选择 数据输出 保护 地 据输入输出 串行时钟 保持 电源 7.S0|C300m封装引脚配置 16 CLK 15 NC 3 N/C N/C /C NrC 12 N/C NC N/C /CS 10 GND Do W25×16,W25X32,W25×64 8.S0G300mi|封装引脚描述 引脚号(PADN)引脚名称( PAD. NAME)输入输出类型(/0)功能( FUNCT|ON) 保持 电源 瑞嵌 第页 瑞嵌 数据于册嵌入式 专属论坛 脚 空脚 芯片选择 数据输出 写保护 空脚 空脚 空脚 脚 攵据输出 串行时钟 8.1封装类型 看上面的图就知道了。 8.2芯片选择引脚(/cS) 引脚使能和禁能芯片。当。为高电平时,芯片被禁能,引脚高阻抗,在此时 如果器件內部没有擦除、编程或处于状态寄存器周期进程,器件功耗将处于待机水平。 为低电平时,使能恭片,此时功耗増加到激活水平,此时,就可以进行芯片的读写操作 了。上电之后,执行一条新指令之前必须使引脚先有一个下降沿。引脚可以根据需 要加上拉电阻。 8.3数据输出引脚(D0) 下降沿输出数据。 8.4写保护引脚(/WP) 写保护引脚可以被用来保护状态寄存器不被意外改写。 8.5保持引脚(/H0LD) 当为低电平,且 为低电平时,引脚将处于高阻抗状态,而且也会忽略 和引脚上的信号。把引胭拉皛,器件恢复常上作。当芯片与多个其它芯 片共享微控制器上的同 接口时,此引脚就会显得很有作用 8.6串行时钟引脚(CLK) 时钟引脚,为输入输出提供时序 8.7串行数据输入/输出引脚(D0) 数据,地址和命令从引脚送到芯片内部,在引脚的上沿捕获。当使用“快 读双输出指令( )”时,此引脚作为输出引脚使用。 9.模块图 瑞嵌 第页 瑞嵌 数据于册嵌入式 专属论坛: Block segmentation oFFOr XxITTH 了HFH SOCT 15 14KH Block 123(64KBY NEMIFFI FFTICKII 汁Th DEFcon MEFFF 5err14伟B nEroth 笑EFFh 夏 FAtH 夏DFFh Soctor 114K XYDOFFh F nOah 料 h 4CFFFFh rafah rr1-Frn gck4体4KB) ir.rrIt 的mH 00 xH IOFF EFFFrih 3HFFFFH noAh SFFEn 8ck6364KB) (or D Rb yEIKIFFh sTiFF BR---S----......-1 Wirite coral Bleck 32 164KB coMiC AFF FIh FFFFh Block 31 4KB) IFCIFFh Heaster H〔 H High wage Block 0-64kB CicahPeaInrs 〔 Ending GLK He Ad Page Adre IE 的mda Contre Logia Colmn arrode nd 256 Byle pace Hiil 的y糖 Leichi Cunter 瑞嵌 第页 瑞嵌 数据于册嵌入式 专属论坛: 10.功能描述 10.1SP运行方式 10.1.1SP模式 通过四线制总线方式访问: 两种通信方 式鄞支持:模式 )和模式( 模式和模式的主要区别是当主机的 口处于空闲或者是没有数据传输的时候的电平是高电平还是低电平。对于模式, 处于低电平;对于模式 处于高电平。不过,在两种模式下芯片都是在的 上升沿呆集输入数据,下降沿输出数据。 10.1.2双输出SP|方式 支持双输出方式,需要使用“快读双输山指令( ”,这时,传输速率相当于两倍于标准的传输速率。这个命令非常适合在 需要一上电就快速下载代码到内存中的情况下( )或者是需要缓存代码段到 内存中运行的情况下( )。在使用“快读双输出指 令”后 引脚变为输出引脚。 10.1.3保持功能(/HLD) 芯片欠于使能状态下()时,把引脚拉低可以使芯片“暂停”工作。适用 于当芯片和其它器什共享主机上的口的时侯。例如, 主机接收到一个更高优 先级的中断抢占了主机的口,而这时芯片的“页缓存区( )”还有一部分 没有写完,这时,保持功能就可以使得芯片当中的“页缓存区”保存好数据,等到那个 从机释放口时,将继续完成刚才没有写完的工作 使用保持功能,引脚必须为低电平。在的下降沿以后,如果时钟引脚 处于低由平,保持功能开始;如果引脚为高电平,保持功能在的下一个下降沿后 开始。在 的上几沿以后,如果引脚为低电平,保持功能结束;如果为高 电平,在 下降沿,保持功能结束。 在保持功能起作用明间,引脚处于高阻抗状态,引脚和引脚上的信号忽略。 血目,在此期佃,引脚也必须保持低电平。如果在此期间。拉高,芯片内部逻辑将会 被重置。 10.2写保护功能(/WR 这个功能主要应用在芯片处于存在王扰噪声(这个噪声是指电磁干扰)等恶劣环境下工 作的时候。 10.2.1写保护特征 低于阀值电压器件重置 ●上电之后禁能延迟写入 ●写使能、写禁能指令 编程或擦除之后自动禁止写入 用“状态寄存器”实现软件写保护 用“状态寄存器”和 ”引脚实现写保护 用“掉电指令”实现写保护 在“上电状态”或“掉电状态”下,如果引脚的电平低于阀值电压 将处于重置状态。此时,所有对芯片的架作都被禁止,指令也无法识别。当上电之后,如果 电平超过了阀值电压,所有的和编程或者是擦除相关的指令都会被禁止段吋间 ()。这些指令包括:写使能( )、页编稈( )、扇区擦除( )、块区擦除( )、芯片擦除 )和写状态寄存器指令( )。注意,在上电过程中,引脚电平必须和引脚电平保持一致,直到 瑞嵌 第页 瑞嵌 数据于册嵌入式 专属论坛: 引脚电平达到最小值( )而且()时间延迟达到。可以接一个上拉电阻完 成这个工作 芯片上电之后自动进入写保护状态,因为此时,状态备在器当中的写供护状态位( 。在执行“页编程指令”“扇区擦除指令”“芯片擦除指令”“写状态寄存器指令”之前 必须先执行“写使能”指令。在执行完编程、擦除、写指令之后,状态笱存器中的写保护位 自动变为,使写能 软件控制写保护功能可以“写状态寄存器指令”置位“状态寄存器保护位()”“块 区保护位( )”,这些状态寄存器位允许芯片部分或者是整个芯片都为只读 结合引胭,就可以实现硬件控制使能或禁能写保护。 另外,利用“掉电指令”也可以实现“定意义上的写保护,此时,除了“释放抻电指令”, 其它的所有指令无效。 1控制和状态寄存器 S7 S6 s5s4s3s2810 通过“读状态寄在器指令”读出的状态数据可以知道芯片存储器阵列是否可写或不可写, 或是否处于写保护状态。通过“写状态寄存器指令”叫以配置芯片写保护特征。 11.1状态寄存器 11.1.1忙位(BUSY) 位是个只读位,位于状态寄存器中的。当器件在执行“页编程”“扇区擦除” “块区擦除”“芯片擦除”“写状态寄存器”指令时,该位自动置。这时,除了“读状密 在器”指令,其它指令都忽略。当编程、擦除和写状态寄存器指令执行完毕之后,该位自动 变为,表示芯片可以接收其它指令了 11.1.2写保护位(WEL) 位是个只读位,位于状态寄存器中的。执行完“写使能”指令后,该位置。 当芯片处于“写保护状态”下,该位为。在下面两种情況下,会进入“写保护状态” ●掉电后 执行以下指令后:写禁能、页编程、扇区擦除、块区擦除、芯片擦除和写状态寄存器 11.1.3块区保护位(BP2,BP1,BP0) 位是可读可写位,分别位于状态寄存器的 可以用“写状态寄存 器”命令置位这些块区保护位。在默认状态下,这些位都为,即块区处于未保护状态下。 可以设置块区没有保护、部分保护或者是全部处于保护状态下。当位为或引脚 为低的时侯,这些位不可以被更改 11.1.4底部和顶部块区保护位(TB) 位是可读可写位,位于状态寄存器的。该位默认为,表明顶部和底部块区处于 未被保护状态下。可以用“写状态寄存器”命令置位该位。当位为或引脚为低 的时候,这些位不可以被更改 11.1.5保留位 状态寄存器的为保留位,读出状态寄存器值时,该位为。建议读状态寄存器值用 于测试时将该位屏蔽 11.1.6状态寄存器保护位(SRP) 位是可读可写位,位于状态奇仔器的。该位结合引脚可以实现禁能写状态 寄存器功能。该位默认佰为。 位时,引脚不能控制状态寄存器的“写禁能 位,引脚时,“写状态寄存器”命令失效。当位 引脚时, 瑞嵌 第页 瑞嵌 数据于册嵌入式 专属论坛: 可以执行“写状态寄存器”命令。 11.1.7状态寄存器存储保护模块 STATUS REGISTER( W25X64(64M-BIT)MEMORY PROTECTION TB BP2 BP1 BP0 BLOCK(S) ADDRESSES DENSITY PORTION BI 0 NoNE NONE NONE NONE X00000 0000 1 126 and 127 7E0O0Ch-7FFFFFh 1M-bit Upper 1/64 0 124 and 127 7C0000h-7FFFFFh Upper 1/32 1120hu127780n-7FFh 4M-bit Upper 1/16 0112thu12770000-7FFFh 8M-bit pper 1/8 01010 96 thru 127 60000oh-7FFFFFh 16M-bit Uppcr 1/4 11000 64 thru 127 400000h-7FFFFFh 32M-bit Upper 1/2 0 0 and 1 00000Ch-01FFFFh 1M-bit Lower 1/64 o thru 3 00000Ch-03FFFFh 2M-bit Lower 1/32 0 thru 7 00000ch-07FFFFh 4M-bit Lower 1/16 0 10101 O thru 15 000000h-OFFFFFh BM-bit Lower 1 8 0 thru 31000000h-1FFFFFh 16M-bit Lower 1/4 0 thru 63 000000h-3FFFFFh 16M-bit Lower 1/2 0 thru 127 000000h-7FFFFFh 64M-bit ALL STATUS REGISTER( N25X3232M-BITMEMORY PROTECTION DENSITY TB BP2 BP1 BPa BLOCK(s) ADDRESSES PORTION (KB) NONE NONE NONE x000000 0000 0011 3F00COh-3FFFFFh 512K-bit Upper 1/64 rand 63 LoaCOh-3FFFFFh 1M-bt Upper 1/32 o thru 63 3C0000h 2M-bit Upper 1/16 56 thru 63 380000h-3FFF 4M-bt Upper 1/8 010 48 thru 63 c00000h-3FFFFFh 8M=bit Upper 1/4 32 thru 63 200000h-3FFFFFh 16M-bit Upper 1/2 000 C000COh-OOFFFFR 512K-bit Lower 1/64 0 and 1 CO00COh-01FFFFh 1M-bit Lower 1/32 11 0 thru 3 co00COh -03FFFFh 2M-bt Lower 1/16 00 o thru 7 cOoocOh-O7FFFFH 4M-bit Lower 1/8 o thru 15 000003h-0FFFFFh 8M-bit Lower 1/4 o thru 31 o00COTh-1FFFFFh 16M-bit Lower 1/2 o thru 63 cOcoooh-3FFFFFh 32M-bit ALL STATUS REGISTER N W25X16(16M-BIT)MEMORY PROTECTION TB BP2 BP1 BP0BLOCK(S ADDRESSES DENSITY(KB) PORTION X 0 0 Q N○NE N○NE NONE NONE 0 31 1F0000h-1FFFFF 512K-bit Upper 1/32 0 0 001 and 31 1E00OOh-1FFFFFh 1M-bit Upper 1/16 28 th 31 1C0000h-1FFEFFh 2M-bit Upper 1/8 000 0 24 thru 18000行FFFh 4M-bit Upper 1/4 16 thru 31 109000h-1FFFFFh 8M-bit Upper 1/2 000 000D0Qh-OOFFFFh 512K-bit Lower 1/32 L and 1 oo0000h EFF 1M-bit Lower 1/16 C thru 3 000000h-03 FFFFh 2M-bit Lower 1/8 001 C thru 7 00000h-07FFFh 4M-bit Lower 1/4 C thru 15 000000h-OFFFFFh 8N-bit Lower 1/2 X X C thru 31 000000h-1FFFFEh 16M-bit ALL 2命 包括个基本的命令,这个基本的指令可以通过总线完全控 制芯片。指令在引脚的下降沿开始传送,—引脚上数据的第一个字节就是指令代码。 瑞嵌 第页 瑞嵌 数据于册嵌入式 专属论坛: 在时钟引脚的上升沿采集数据,高位在前 指令的长度从一个字节到多个字节,有时还会跟随地址字节、数据字节、伪字节( x有时还会它们的组合,男厘的沿完成指空付有的指含不一--( 指令将不起作用。这个特征可以保护芯片被意外写入。当芯片芷在被编程、擦除或写状态奇 存器的时候,除了“读状态寄冇器”指令,其它所有的指令都会被忽略知道擦写周期结束。 11.2.1器件标识 MANUFACTURER ID (M7-MO Winbond se rial flash EFH Device iD D7-D0) D151D0 Instruction ABh. 90h oH 25×16 14h 3015h 25X32 15h 3016h 25X64 16h 3017h 11.2.2命令表 指令名称 字节字节2 字节3 字节4字节5 卜一个字↑ 写使能 写禁能 读状态寄存器 写状态寄存器 读数据 下个字节 继续 快读 伪字节 下个字节 快读双输出 伪字节 每四个时钟 页编程 个字节 直到个 「块擦除 扇区擦除 芯片擦除 掉电 释放掉电器 伪字节 伪字芍伪字节 件 制造器件 伪字节伪字节 数据传输高位在前,带括号的数据表示数据从引胭读出。 11.2.3写使能(06h)( Write enable) “写使能”指令将会使“状态寄存器”—位置位。在执行每个“页编程”“扇区擦除” “块区擦除”“芯片擦除”和“写状态寄存器”命令之前,都要先置位。—引脚先拉 瑞嵌 第页 瑞嵌 数据于册嵌入式 专属论坛: 低之后,“写使能”指令代码从引脚输入,在上升沿采集,然后雨拉高 Cs Mode 3 0 Mode 3 CLK Mode O 日几几几几We0 Instruct on (06h High Impedance DO 写使能”指令序列图 11.2.4“写禁能”指令(04h)( Write disable) “写禁能”指令将会使_位变为。引脚拉低之后,把从引脚送到芯 片之后,拉高,就完成了这个指令。在执行完“写状态寄存器”“仄编程”“扇区擦除” “块区擦除”“芯片擦除”指令之后 位就会自动变为。 CS Mode 3 234567Mde3 CLK Mode 0 几几Mde INstruction (o4h DIOXXXX High Impedance DO “写禁能”指令序列冬 11.2.5“读状态青存器”指令(05h)( Read Status Register) 拉低之后,开始把从引脚送到芯片,在的上升沿数据被芯片采集, 当芯片认岀采集到的数据吋吋,芯片就会把“状态寄存器”的值从引脚输出,数据 在的下降沿输出,高位在前。 读状寄存器”指令在任何时侯都可以用,甚至在编程、擦除和写状态寄存器的过程 中也叫以用,这样,就可以从状态寄存器的 位判断编程、擦除和写状态寄存器周期 有没有结束,从而让我们知道芯片是否可以接收下一条指令了。如果不被拉高,状态备 存器的值将一直从引脚输出。拉高之后,读指令结束。 瑞嵌 第页

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机械的未来 中文资料,很好
2020-04-27
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