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产生 EMC 问题主要通过两个途径:一个是空间电磁波干扰的形式;另一个是通过
传导的形式，换句话说，产生 EMC 问题的三个要素是：电磁干扰源、耦合途径、
敏感设备。
传导、辐射骚扰源----------------------------〔- 途径〕------------------------------ 敏
感受体
MOS 的并联使用原那么：
1.并联的 MOS 必须为同等规格，最好是同一批次的。
2.并联的 MOS 的驱动电路的驱动电阻和放电电路必须是独立分开的，不可共用驱动电阻和
放电电阻。
3.PCB 走线尽量保证对称，减小电流分布不均
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解.
工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout 约等于 Vcc〔Vcc-0.4V 左
右〕，Vout 大小只受 Vcc 大小影响。此时 Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。
工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于 Vcc-Ic*RL，Vout=
Ic*RL=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*RL，Vout 大小直接与 Vin 成比例，一般用于反应环路里面 (1.6V
是粗略估计，实际要按器件资料，后续 1.6V 同) 。
举例分析，例如图.1 中的光耦电路，假设 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦 CTR= 50%，光耦导通时假设
二极管压降为 1.6V，副边三极管饱和导通压降 Vce=0.4V。输入信号 Vi 是 5V 的方波，
输出 Vcc 是 3.3V。Vout 能得到 3.3V 的方波吗.
我们来算算：If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA
副边的电流限制：Ic’ ≤ CTR*If = 1.7mA
假设副边要饱和导通，那么需要 Ic’ = (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA，大于电流通道限制，所
以导通时，Ic 会被光耦限制到 1.7mA， Vout = Ro*1.7mA = 1.7V
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资源评论
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m0_72431373
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