Abrupt junction | 突变结
Accelerated testing | 加速实验
Acceptor | 受主
Acceptor atom | 受主原子
Accumulation | 积累、堆积
Accumulating contact | 积累接触
Accumulation region | 积累区
Accumulation layer | 积累层
Active region | 有源区
Active component | 有源元
Active device | 有源器件
Activation | 激活
Activation energy | 激活能
Active region | 有源(放大)区
Admittance | 导纳
Allowed band | 允带
Alloy junction device | 合金结器件
Aluminum(Aluminium) | 铝
Aluminum oxide | 铝氧化物
Aluminum passivation | 铝钝化
Ambipolar | 双极的
Ambient temperature | 环境温度
Amorphous | 无定形的,非晶体的
Amplifier | 功放、扩音器、放大器
Analogue comparator | 模拟比较器
Analog comparator | 模拟比较器
Angstrom | 埃
Anneal | 退火
Anisotropic | 各向异性的
Anode | 阳极
Arsenic | 砷
AS | 砷
Auger | 俄歇
Auger process | 俄歇过程
Avalanche | 雪崩
Avalanche breakdown | 雪崩击穿
Avalanche excitation | 雪崩激发
Background carrier | 本底载流子
Background doping | 本底掺杂
Backward | 反向
Backward bias | 反向偏置
Ballasting resistor | 整流电阻
Ball bond | 球形键合
Band | 能带
Band gap | 能带间隙
Barrier | 势垒
Barrier layer | 势垒层
Barrier width | 势垒宽度
Base | 基极
Base contact | 基区接触
Base stretching | 基区扩展效应
Base transit time | 基区渡越时间
Base transport efficiency | 基区输运系数
Base width modulation | 基区宽度调制
Basis vector | 基矢
Bias | 偏置
Bilateral switch | 双向开关
Binary code | 二进制代码
Binary compound semiconductor | 二元化合物半导体
Bipolar | 双极性的
Bipolar Junction Transistor(BJT) | 双极晶体管
BJT | 双极晶体管
Bloch | 布洛赫
Blocking band | 阻挡能带
Blocking contact | 阻挡接触
Body centered | 体心立方
Body centred cubic structure | 体立心结构
Boltzmann | 波尔兹曼
Bond | 键、键合
Bonding electron | 价电子
Bonding pad | 键合点
Bootstrap circuit | 自举电路
Bootstrapped emitter follower | 自举射极跟随器
Boron | 硼
Borosilicate glass | 硼硅玻璃
Boundary condition | 边界条件
Bound electron | 束缚电子
Breadboard | 模拟板、实验板
Break down | 击穿
Break over | 转折
Brillouin | 布里渊
Brillouin zone | 布里渊区
Built in | 内建的
Build in electric field | 内建电场
Bulk | 体/体内
Bulk absorption | 体吸收
Bulk generation | 体产生
Bulk recombination | 体复合
Burn in | 老化
Burn out | 烧毁
Buried channel | 埋沟
Buried diffusion region | 隐埋扩散区
Can | 外壳
Capacitance | 电容
Capture cross section | 俘获截面
Capture carrier | 俘获载流子
Carrier | 载流子、载波
Carry bit | 进位位
Carry in bit | 进位输入
Carry out bit | 进位输出
Cascade | 级联
Case | 管壳
Cathode | 阴极
Center | 中心
Ceramic | 陶瓷(的)
Channel | 沟道
Channel breakdown | 沟道击穿
Channel current | 沟道电流
Channel doping | 沟道掺杂
Channel shortening | 沟道缩短
Channel width | 沟道宽度
Characteristic impedance | 特征阻抗
Charge | 电荷、充电
Charge compensation effects | 电荷补偿效应
Charge conservation | 电荷守恒
Charge neutrality condition | 电中性条件
Charge drive | 电荷驱动
Charge exchange | 电荷交换
Charge sharing | 电荷共享
Charge transfer | 电荷转移
Charge storage | 电荷存储
Chemmical etching | 化学腐蚀法
Chemically Polish | 化学抛光
Chemmically Mechanically Polish (CMP) | 化学机械抛光
CMP | 化学机械抛光
Chip | 芯片
Chip yield | 芯片成品率
Clamped | 箝位
Clamping diode | 箝位二极管
Cleavage plane | 解理面
Clock rate | 时钟频率
Clock generator | 时钟发生器
Clock flip flop | 时钟触发器
Close packed structure | 密堆积结构
Close loop gain | 闭环增益
Collector | 集电极
Collision | 碰撞
Compensated OP AMP | 补偿运放
Common base connection | 共基极连接
Common collector connection | 共集电极连接
Common emitter connection | 共发射极连接
Common gate connection | 共栅连接
Common drain connection | 共漏连接
Common source connection | 共源连接
Common mode gain | 共模增益
Common mode input | 共模输入
Common mode rejection ratio(CMRR) | 共模抑制比
CMRR | 共模抑制比
Compatibility | 兼容性
Compensation | 补偿
Compensated impurities | 补偿杂质
Compensated semiconductor | 补偿半导体
Complementary Darlington circuit | 互补达林顿电路
Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(CMOS) | 互补金属氧化物半导体场效应晶体管
CMOS | 互补金属氧化物半导体场效应晶体管
Complementary error function | 余误差函数
Computer aided design (CAD) | 计算机辅助设计
CAD | 计算机辅助设计
Computer aided test(CAT) | 计算机辅助测试
CAT | 计算机辅助测试
Computer aided manufacture(CAM) | 计算机辅助制造
CAM | 计算机辅助制造
Compound Semiconductor | 化合物半导体
Conductance | 电导
Conduction band | 导带
Conduction band edge | 导带底
Conduction level | 导带态
Conduction state | 导带态
Conductor | 导体
Conductivity | 电导率
Configuration | 组态
Conlomb | 库仑
Conpled Configuration Devices | 结构组态
Constants | 物理常数
Constant energy surface | 等能面
Constant source diffusion | 恒定源扩散
Contact | 接触
Contamination | 治污
Continuity equation | 连续性方程
Contact hole | 接触孔
Contact potential | 接触电势
Continuity condition | 连续性条件
Contra doping | 反掺杂
Controlled | 受控的
Converter | 转换器
Conveyer | 传输器
Copper interconnection system | 铜互连系统
Couping | 耦合
Covalent | 共阶的
Crossover | 跨交
Critical | 临界的
Crossunder | 穿交
Crucible | 坩埚
Crystal defect | 晶体缺陷
Crystal face | 晶面
Crystal orientation | 晶向
Crystal lattice | 晶格
Current density | 电流密度
Curvature | 曲率
Cut off | 截止
Current drift | 电流漂移
Current dirve | 电流驱动
Current sharing | 电流共享
Current Sense | 电流取样
Curvature | 弯曲
Custom integrated circuit | 定制集成电路
Cylindrical | 柱面的
Czochralshicrystal | 直立单晶
Czochralski technique | 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J)
Dangling bonds | 悬挂键
Dark current | 暗电流
Dead time | 空载时间
Debye length | 德拜长度
De.broglie | 德布洛意
Decderate | 减速
Decibel (dB) | 分贝
dB | 分贝
Decode | 译码
Deep acceptor level | 深受主能级
Deep donor level | 深施主能级
Deep impurity level | 深度杂质能级
Deep trap | 深陷阱
Defeat | 缺陷
Degenerate semiconductor | 简并半导体
Degeneracy | 简并度
Degradation | 退化
Degree Celsius | 摄氏温度
Degree centigrade | 摄氏温度
Degree Kelvin | 开氏温度
Delay | 延迟
Density | 密度
Density of states | 态密度
Depletion | 耗尽
Depletion approximation | 耗尽近似
Depletion contact | 耗尽接触
Depletion depth | 耗尽深度
Depletion effect | 耗尽效应
Depletion layer | 耗尽层
Depletion MOS | 耗尽MOS
Depletion region | 耗尽区
Deposited film | 淀积薄膜
Deposition process | 淀积工艺
Design rules | 设计规则
Die | 芯片(复数dice)
dice | 芯片(复数)
Diode | 二极管
Dielectric | 介电的
Dielectric isolation | 介质隔离
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2009-10-06
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