模拟电子技术基础第四版华成英和后习题答案

所需积分/C币:50 2014-09-24 08:41:54 18.83MB PDF
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与清华大学出版社童诗白,华成英主编的第四版教材相对应,解答详细,答案很有用。可作为学习参考使用
第1章常用半导体器件 自测题 判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元索,叫将其改型为P型半导体。(√) (2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。(√) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) 5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证 其Rm大的特点。(√) (6)若耗尽型N沟道MOS管的U大于零,则其输入电阻会明显变小。(×) 、选择正确答案填入空內。 PN结加正向电压时,空间电荷区将A。 A变窄B基本不变C变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在C。 A正向导通B反向截止C反向击穿 (3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B。 A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A、C_。 A.结型管B.增强型MOS管C耗尽型MOS管 写出图T3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U=07V。 D 12V R k V 2V R D R D R 2V 2V 2V 2V 2V 图T13 解:Uo1=1.3V,U=0V,Uo3=-1.3V,Ul4=2V,Uos=1.3V,Uo6=-2V 四、已知稳压管的稳压值Uz=6V,稳定电流的最小值lmin=5mA。求图T4所示电路 中U利Uo2各为多少伏。 R R 50092 2kg RL RI 2 2kQ4 o? 图T14 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故Uo=6V 右图中稳压管没有击穿,故Uo2=5V。 五、电路如图T15所示,Vc=15V,B=100,UB=0.7V。 试问: (I)Rb=50k2时,Uo=? R (2)若T临界饱和,则Rb=? Sk 解:(1)/B= BB BE 26A, R Ic=blB=2.6mA U0=Vac-ICR=2v 图T15 U (2).Ics=cC BE=2.86mA, IBS=Ics/B=28.6LIA R R VPR -UBE=45.5kQ BS 六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表TL6所示,它们的开启 电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表 内。 表T16 管号 GIth Usv 工作状态 4 3 恒流区 截止区 6 0 5 可变电阻区 解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表中所小 各极电位可判断出它们各自的作状态,如表T6最后一栏所示 习题 1.1选择合适答案填入空内。 (1)在木征半导体中加入(A)元素可形成N型半导休,加入(C)元素可形成P型半导 A.五价 B四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A)。 A.增大 B不变 C.减小 (3)工作在放大区的某三极管,如果当lB从12uA增大到22uA时,l从lmA变为 2mA,那么它的B约为(C)。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流b从2mA变为4mA时它的低频跨导gm将(A)。 A增大; B.不变; C减小 12电路如图P12所示,已知u1=10 Isin ot(V,试画出u1与un的波形。设二极 管导通电压可忽略不计 / R 图P12 解图P12 解:lu;与ln的波形如解图P12所示。 13电路如图P3所示,已知l2=5sion(v,二极管导通电压U=07V。试画 出u1与un的波形图,并标出幅值。 D本 r(/vI 3 3J二 图P13 解图P13 解:波形如解图PL.3所示。 14电路如图P14所示,二极管导通电压Un=0.7V常温下Ur≈26mV,电容C对 交流信号可视为短路;v:为正弦波,有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流 的有效值为多少? 解:二极管的直流电流 500g2 n=(-Un)/R=26A 2V 其动态电阻: p≈Un/D=10g 图P14 故动态电流的有效值:I=U,/rn≈lmA 1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V和8V,正向导通电压为07V。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少? 解:(1)串联相接可得4种:14V;14V;6.7V;8.7V。 (2)并联相接可得2种:0.7V;6V 16已知图P6所示电路中稳压管的稳定电压Uz=6V,最小稳定电流 Zmin =5mA,最大稳定电流lm=25mA (1)分别计算U为10V、15V、35三种情况下输出电压U的值; (2)若U1=3V时负载开路,则会出现什么现象?为什么? I kg 解:(1)只有当加在稳压管两端的 R 电压大于其稳压值时,输出电压才为6V。 500c2 R ∴U1=10时,Uo= R+RU=3.3V; 图P.6 U1=15V时,OR÷R1 U,=SV R Ur=35时,U0R+h U,≈117V>U U=Uz=6V 0.1 (2)当负载开路时,rU,-0z=29m>lzmx=25mnA,故稳压管将被烧毁。 R 17在图門7所示电路中,发光二极管导通电压 UD=1.5V,正向电流在5~15mA时才能正常工作。 试问:(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光? (+5V) (2)R的取值范围是多少? R 解:(1)S闭合。 D平 (2)R的范围为 Rmn=(V-Un)/mx≈2332 Rmnx=(-Un)/nn≈700C2 图P17 18现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P18所示。分别求另一电极 的电流,标出其方向,并在圆圈屮画出管子,且分别求出它们的电流放大系数β ∥10m 5mA LOLA \5.ImA (b) 图PL8 解图PI8 解:答案如解图PL.8所示。 放大倍数分别为B=1mA/10A=100和B=5mA100A=50 19测得放大电路中六只晶休管的直流电位如冬P19所示。在圆圈中画出管子, 并说明它们是硅管还是锗管。 12V 12V9 12VP 12vP 12V 1.3V 3.7V 12.7V 15V lev T T T 3V 15Vb 148Vb 15V 图P19 解:如解图19。 12vpe 12VPc 12vpe 12V Ph tvpC 12V pb b b 113V 37V 12.7V 2.2V 15V l1.8V T T T C GV vbC o bc 14 8Vbh 15V 解图1 110电路如图P110所示,晶休管导通时Um=0.7V,B=50。试分析v为0V、 IV、3ⅣV三种情况下T的工作状态及输出电压lo的值。 解:(1)当VB=0时,T截止,uo=12 R 12V 2)当VB=时,因为 I ko R BR BEQ 60A T B R 5kΩ BB Iro=Blk=3mA Vc-IoR=9V C 图P110 所以T处于放大状态。 (3)当VB=3V时,因为、Vn-Umo_A60A, B R lco=/lao=23mAls=c=113mA,所以T处于饱和状态。 R 1电路如图PLl所示晶体管的=50,|Ug|=02V,饱和管压降 Ucg=0.V:稳压管的稳定电压Uz=5V,正向导通电压UD=0.5。试间:当 =0v时 5V时u ? D (-12V R 解:当u1=0V时,晶体管截止,稳压管击穿, Iks U=-5V +10kΩ2 当u1=-5V时,晶休管饱和, 因为 图P111 12=“E=480A,|=川n=24mA,UB=Vc-1l|R<0 112分别判断图PL12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态 +6V R R R R R bV b) c) R 1.5V R 图PL12 解:(a)可能;(b)可能:(c)不能;(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。(e) 可能 113已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①②,③的电位分别为4V、 8、12ⅴ,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增 强型、耗尽型),并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。 解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极①、②、⑧与G、S、 D的对应关系如解图PL13所示。 解图PL13 114已知场效应管的输岀特性曲线如图門14所示,画出它在恒流区的转移特性 曲线。 12v 12Y 10V 10V 9v 8V 65V 0510152025ts/V 0 25 liDS 图PI,14 (a) 解图PL14

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