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电源基准设计说明
电源基准设计说明
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关于电源管理类产品的基准设计详细说明书,介绍了几款转换器的参数、使用、波形等。
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电源技术中的高电源抑制的基准源的设计方案
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电子镇流器的供电方式为半桥输出接稳压管给芯片供电,其输出电压为高压正弦波(50~100 kHz),加之芯片内数字部分的干扰,这就给芯片的电源带来较大的干扰。因此对芯片内基准的中频PSR(Power Supply Rejection,电源抑制)有较大要求。本文从此角度在Brokaw带隙基准的基础上进行改进,采用LDO与基准的级联设计来增加其PSR。 1 电路结构 1.1 基准核心
一种高电源抑制的基准源的设计
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本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题,通过采用LDO与带隙基准的混合设计,并且采用BCD工艺,得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR(电源抑制)带隙基准。此带隙基准的1.186 V输出电压在低频时PSR为-145 dB,在0~1 GHz频带内,最高PSR为-36 dB。在-50~150 ℃内,1.186 V基准的温漂为7.5 ppm/℃。
高电源抑制的基准源的设计方案
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电子镇流器的供电方式为半桥输出接稳压管给芯片供电,其输出电压为高压正弦波(50~100 kHz),加之芯片内数字部分的干扰,这就给芯片的电源带来较大的干扰。因此对芯片内基准的中频PSR(Power Supply Rejection,电源抑制)有较大要求。本文从此角度在Brokaw带隙基准的基础上进行改进,采用LDO与基准的级联设计来增加其PSR。
带隙基准源电路与版图设计说明.doc
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带隙基准源电路与版图设计说明.doc
高电源抑制的带隙基准源设计方案
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本文通过结合LDO与Brokaw基准核心,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,最高PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。
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一款双极性晶体管的基准电源电路图
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