电子工程多路选择器型抗辐射扫描单元全定制设计：集成电路可靠性提升的关键技术研究（可实现，有问题可联系博主）

内容概要：本文档为一篇关于多路选择器型的抗辐射扫描单元全定制设计的本科毕业论文开题报告。论文背景强调航天事业的重要性及其对集成电路抗辐射性能的高要求。文中详细分析了辐射效应对集成电路的影响，如单粒子效应（SEE）和总剂量效应（TID），并介绍了常见的抗辐射加固方法，包括器件级、版图级、封装级和电路级加固。特别关注电路级加固，如冗余加固、RC滤波加固和C单元加固。论文的主要内容包括：基于SMIC 0.13微米工艺设计保护环抑制单粒子闩锁效应、使用DICE结构作为D触发器中的锁存器存储数据、设计多路选择器型的扫描单元电路、完成全定制设计的版图验证和物理信息提取。研究重点在于DICE触发器和C单元的防护机理及全定制设计方法，难点在于EDA软件的使用和物理信息抽取。 适合人群：具备电子工程基础知识，尤其是对集成电路设计和抗辐射加固感兴趣的本科生及研究生。 使用场景及目标：①了解辐射效应对集成电路的影响及抗辐射加固方法；②掌握基于SMIC 0.13微米工艺的全定制设计流程；③学习DICE触发器和C单元的防护机理及应用。 其他说明：论文详细列出了研究进度安排，并提供了丰富的参考文献，有助于读者深入了解抗辐射加固技术的发展历程和最新研究动态。