不管是 NMOS 还是 PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样
电流就会在这个电阻上消耗能量,这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率 MOS
管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
MOS 在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。MOS 两
端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这
段时间内,MOS 管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短
开关时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小
单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4,MOS 管驱动
跟双极性晶体管相比,一般认为使 MOS 管导通不需要电流,只
要 GS 电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我
们还需要速度。
在 MOS 管的结构中可以看到,在 GS,GD 之间存在寄生电容,
而 MOS 管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需
要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间
电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬
间短路电流的大小。
第二注意的是,普遍用于高端驱动的 NMOS,导通时需要是栅
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