没有合适的资源?快使用搜索试试~ 我知道了~
MOS管使用的总结和应用
需积分: 12 15 下载量 51 浏览量
2010-05-23
09:32:26
上传
评论
收藏 345KB PDF 举报
温馨提示
试读
23页
总结MOS管与应用,这是一份很好的总结。使你可以理解怎样去合理地使用MOS管而不发热和工常运行。
资源推荐
资源详情
资源评论
1
MOS 管驱动电路总结
在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候, 大部分人都 会
考虑 MOS 的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅 考
虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作 为
正式的产品设计也是不允许的。
下面是我对 MOSFET 及 MOSFET 驱动电路基础的一点总结,其中参 考
了一些资料,非全部原创。包括 MOS 管的介绍,特性,驱动以及应 用
电路。
1
, MOS 管种类和结构
MOSFET 管是 FET 的一种(另一种是 JFET
) ,可以被制造成增强型
或
耗尽型, P 沟道或 N 沟道共 4 种类型,但实际应用的只有增强型的
N
沟道 MOS 管和增强型的 P 沟道 MOS 管, 所以通常提到 NMOS
, 或者
PM OS
指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的 MOS 管,不建议刨根问底。
对于这两种增强型 MOS 管, 比较常用的是 NMOS
。 原因是导通电阻
小,
且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用 NMOS
。
下面的介绍中,也多以 NMOS 为主。
MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是
由于制造工艺限制产生的。 寄生电容的存在使得在设计或选择驱动 电
2
路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。
在 MOS 管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达) ,这个二极管很重要。
顺便说一句,体二极管只在单个的 MOS 管中存在, 在集成电路芯片 内
部通常是没有的。
2
, MOS 管导通特性
导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。
NMOS 的特性, Vgs 大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时 的
情况(低端驱动) ,只要栅极电压达到 4V 或 10V 就可以了。
PMOS 的特性, Vgs 小于一定的值就会导通,适合用于源极接 VCC 时
的情况(高端驱动) 。但是,虽然 PMOS 可以很方便地用作高端驱动,
但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中, 通
常还是使用 NMOS 。
3
, MOS 开关管损失
不管是 NMOS 还是 PMOS ,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会
在这个电阻上消耗能量, 这部分消耗的能量叫做导通损耗。 选择导 通
电阻小的 MOS 管会减小导通损耗。 现在的小功率 MOS 管导通电阻一 般
在几十毫欧左右,几毫欧的也有。
MOS 在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的。 MOS 两端的电
3
压有一个下降的过程, 流过的电流有一个上升的过程, 在这段时间
内,
MOS 管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失 比
导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大,造成的损失也就很大。缩短开 关
时间,可以减小每次导通时的损失;降低开关频率,可以减小单位 时
间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4
, MOS 管驱动
跟双极性晶体管相比,一般认为使 MOS 管导通不需要电流,只要
G S
电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需 要
速度。
在 MOS 管的结构中可以看到, 在 GS
,
GD 之间存在寄生电容,而 MO
S
管的驱动, 实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电
流,
因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。
选择 / 设计 MOS 管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大
小。
第二注意的是,普遍用于高端驱动的 NMOS ,导通时需要是栅极电 压
大于源极电压。而高端驱动的 MOS 管导通时源极电压与漏极电压
( VCC )相同 ,所以这时栅极电压要比 VCC 大 4V 或 10V 。如果在同 一
个系统里,要得到比 VCC 大的电压,就要专门的升压电路了
。很多
马
达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容, 以
4
得到足够的短路电流去驱动 MOS 管。
上边说的 4V 或 10V 是常用的 MOS 管的导通电压,设计时当然需要
有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。 现
在也有导通电压更小的 MOS 管用在不同的领域里, 但在 12V 汽车电 子
系统里,一般 4V 导通就够用了。
MOS 管的驱动电路及其损失,可以参考 Microchip 公司的 AN799
Matching MOSFET Drivers to MOSFETs 。讲述得很详细, 所以不打 算
多写了。
5
, MOS 管应用电路
MOS 管最显著的特性是开关特性好,所以被广泛应用在需要电子开
关的电路中,常见的如开关电源和马达驱动,也有照明调光。
这三种应用在各个领域都有详细的介绍,这里暂时不多写了。以 后
有时间再总结
问题提出:
现在的 MOS 驱动,有几个特别的需求,
1
,低压应用
当使用 5V
电源, 这时候如果使用传统的图腾柱结构, 由于三极管的
be
有 0.7V 左右的压降,导致实际最终加在 gate 上的电压只有 4.3V
。
这时候,我们选用标称 gate 电压 4.5V 的 MOS
管就存在一定的风险。
5
同样的问题也发生在使用 3V 或者其他低压电源的场合。
2
,宽电压应用
输入电压并不是一个固定值,它会随着时间或者其他因素而变动。 这
个变动导致 PWM 电路提供给 MOS 管的驱动电压是不稳定的。
为了让 MOS 管在高 gate 电压下安全,很多 MOS 管内置了稳压管强行
限制 gate 电压的幅值。在这种情况下,当提供的驱动电压超过稳压
管的电压,就会引起较大的静态功耗。
同时,如果简单的用电阻分压的原理降低 gate 电压,就会出现输入
电压比较高的时候, MOS 管工作良好,而输入电压降低的时候 gate
电压不足,引起导通不够彻底,从而增加功耗。
3
,双电压应用
在一些控制电路中,逻辑部分使用典型的 5V 或者 3.3V 数字电压, 而
功率部分使用 12V 甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
这就提出一个要求,需要使用一个电路,让低压侧能够有效的控制 高
压侧的 MOS 管, 同时高压侧的 MOS 管也同样会面对 1 和 2 中提到的 问
题。
在这三种情况下,图腾柱结构无法满足输出要求,而很多现成的 MO
S
驱动 IC ,似乎也没有包含 gate 电压限制的结构。
剩余22页未读,继续阅读
资源评论
a445231437
- 粉丝: 1
- 资源: 1
上传资源 快速赚钱
- 我的内容管理 展开
- 我的资源 快来上传第一个资源
- 我的收益 登录查看自己的收益
- 我的积分 登录查看自己的积分
- 我的C币 登录后查看C币余额
- 我的收藏
- 我的下载
- 下载帮助
最新资源
- mosquitto-2.018-install-windows-x64
- FTPServer FTP 服务器,绿色免安装,单文件
- 梦畅语音点名软件,上课点名
- 利用ADNI数据集和标签,在tensorflow框架上使用tensorlayer接口,通过架构u-net实现海马体的分割
- Kutools for Word v9.0 office word 插件
- 修复Windows 10 LTSC 2021资源占用率高
- Hash工具,小巧绿色hash校验工具,免费hash工具
- 重启进行BIOS快捷方式,不需要开机按BIOS键
- 鸭子开车记(儿童绘本)
- 威纶通触摸屏编程软件Easy builder pro V6.09.01.556安装包(2024.04).txt
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议,欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理!
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益,开通VIP直接复制
信息提交成功