深亚微米FPGA结构与CAD设计


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《深亚微米FPGA结构与CAD设计》译自加拿大Vaughn Betz所著的《Architecture and CAD for Deepsubmicron FPGAs》,《深亚微米FPGA结构与CAD设计》是FPGA硬件结构设计和软件算法开发的经典之作。《深亚微米FPGA结构与CAD设计》详细论述了在高性能FPGA结构设计和CAD软件开发中的要点,着重探讨了对深亚微米FPGA至关重要的技术和学术问题。《深亚微米FPGA结构与CAD设计》不讨论如何使用商用的FPGA器件,而是侧重于自主研究设计FPGA芯片结构和软件算法。通过分析和比较不同的可编程硬件结构、优化算法,得出提高FPGA芯片结构效率和算

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fpga 好东西 设计part1
2009-11-14fpga 好东西 设计part1 fpga 好东西 设计part1
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FPGA硬件设计
2011-12-25FPGA硬件设计
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FPGA的结构原理及在交流伺服电机中的应用
2011-06-29FPGA的结构原理及在交流伺服电机中的应用
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数字集成电路分析与设计 深亚微米工艺(第三版)
2014-11-04数字集成电路分析与设计 深亚微米工艺(第三版) 完整版 David A.Hodges 电子工业出版社 绝版书 本书以半导体器件物理为基础,由浅入深遂阐述了深亚微米工艺中数字集成电路的设计技术器件模型和
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《数字集成电路分析与设计——深亚微米工艺》习题答案
2017-12-10《数字集成电路分析与设计——深亚微米工艺》习题答案
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深亚微米CMOS模拟集成电路设计 [(美)Bang-SupSong 著] 2014年版.pdf
2019-07-11介绍在深亚微米工艺下如何设计高性能CMOS模拟集成电路。与之前许多讲述模拟集成电路设计的论著不同,本书不再将重点放在晶体管级电路的分析和推导上,而是着重介绍常用电路模块如数据转换器、锁相环中需要考虑的
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《数字集成电路分析与设计:深亚微米工艺》(第三版)
2010-05-14《数字集成电路分析与设计:深亚微米工艺》(第三版).part3 中文版
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论文研究-超深亚微米工艺下基于热量分区的SoC热感知测试调度方法.pdf
2019-07-22在超深亚微米时代,功耗不但直接影响芯片的封装测试成本,而且过高的功耗将导致芯片热量的增加,影响着芯片的可靠性,为了保证芯片测试的热安全,基于热感知的测试调度方法越来越受到重视。综合考虑超深亚微米工艺下
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论文研究-一种深亚微米SRAM 6T存储单元的设计方法 .pdf
2019-08-19一种深亚微米SRAM 6T存储单元的设计方法,张新川,王勇,文章首先分析了静态随机存储器(SRAM) 6T 存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声
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论文研究-一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计 .pdf
2019-08-15一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计,王勇,张新川,文章首先介绍了灵敏放大器的工作原理和两种基本灵敏放大器的特点,在此基础上设计出一种新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用
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论文研究-深亚微米SOC中电源/地网络欧姆电压降分析及优化 .pdf
2019-08-15深亚微米SOC中电源/地网络欧姆电压降分析及优化,张彦,张萌,随着超大规模集成电路工艺进入深亚微米阶段,信号完整性特别是欧姆电压降问题已越来越突出。本文基于synopsys公司的工具Astro-Rai
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动态电子束探针检测技术在亚微米和深亚微米IC失效
2020-12-09王 勇,李兴鸿(北京微电子技术研究所, 北京 100076)摘要:对扫描电子显微镜静态/动态/电容耦合电压衬度像、电子束感生电流像、电阻衬度像在亚微米和深亚微米超大规模集成电路中的成像方法和成像特点进
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低功耗CMOS电路设计
2018-11-20《低功耗CMOS电路设计》着重叙述低功耗电路设计,包括工艺与器件、逻辑电路以及CAD设计工具三个方面的内容。在工艺器件方面,描述了低功耗电子学的历史、深亚微米体硅SOI技术的进展、CMOS纳米工艺中的
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埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响
2020-01-07埋氧层陷阱电荷对深亚微米SOI NMOSFETs重离子单粒子效应的影响,张园园,赵耀林,本文模拟了沟道长度分别为250nm、180nm及90nm SOI NMOSFETs器件在不同浓度的埋氧层陷阱电荷
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深亚微米IC物理设计流程中的串扰控制
2020-12-09Crosstalk Noise Control in Deep Submicron Physical Design Flow 王胤翔 周凤亭 陆生礼 摘 要:信号完整性的设计收敛已经成为当前深亚
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燃煤过程矿物质形态对亚微米颗粒释放的影响
2020-04-28为研究燃煤过程中亚微米颗粒的形成机理,选取了三种烟煤在沉降炉内燃烧,用X射线荧光光谱和透射电子显微镜能量色散谱仪联用对煤和亚微米灰中的矿物质进行分析,研究内生态和游离态的矿物质的转化过程.结果表明,与
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应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术
2020-12-10谢常青,陈大鹏,李兵,叶甜春(中国科学院微电子中心,北京,100010)摘要:PHEMT器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波/毫米波系统。当PHEMT器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽
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EDA/PLD中的EDA技术与FPGA设计应用
2020-11-25摘 要:EDA技术是现代电子设计技术的核心,它在现代集成电路设计中占据重要地位。随着深亚微米与超深亚微米技术的迅速发展,FPGA设计越来越多地采用基于VHDL的设计方法及先进的EDA工具。本文详细阐述
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EDA/PLD中的EDA技术与FPGA设计应用 (图)
2020-12-13摘 要:EDA技术是现代电子设计技术的核心,它在现代集成电路设计中占据重要地位。随着深亚微米与超深亚微米技术的迅速发展,FPGA设计越来越多地采用基于VHDL的设计方法及先进的EDA工具。本文详细阐述
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论文研究 - 亚微米粒子的向后散射特性研究
2020-05-13在生产和科学研究中,对亚微米颗粒特性的研究引起了广泛的关注,这对工业生产,医疗卫生检查等领域的发展具有重要意义。 本文基于背光散射研究了亚微米颗粒的特性。 通过收集不同粒径,不同浓度的粒子的反向散射信
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RFID技术中的MIPS科技提供采用深亚微米工艺的硅验证高保真音频IP
2020-11-21为数字消费、家庭网络、无线、通信和商业应用提供业界标准架构、处理器及模拟IP的领先厂商MIPS科技公司近日宣布,其采用多种深亚微米工艺和经过代工厂硅验证的96dB音频IP编解码器已获得TSMC 90n
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论文研究 - 亚微米玻璃纤维增强乙烯基酯复合材料的力学性能
2020-05-17乙烯基酯(VE)树脂因其高交联密度而固有地具有固有的脆性。 为了改善机械性能,微/纳米填料被广泛用于改性该基质。 在本研究中,将低含量的亚微米级玻璃纤维添加到VE中以制备亚微米复合材料(sMC)。 缺
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数字集成电路:电路、系统与设计(第2版) 拉贝艾(Jan M.Rabaey) PDF 带目录完整版
2019-02-14本书是“学习微电子设计的经典教材”、清晰完整版、带目录完整版,方便阅读,本人也是找了很久,内容简介如下: 《数字集成电路:电路、系统与设计(第2版)》是美国加州大学伯克利分校经典教材。《数字集成电路:
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C70纳米/亚微米棒的高压相变研究
2020-03-01C70纳米/亚微米棒的高压相变研究,王霖,刘冰冰,通过溶剂挥发法获得了准一维C70纳米/亚微米棒状晶体,直径为~500 nm,长度为~10µm,呈六方密堆(hcp)结构。利用金刚石对顶砧(D
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数字集成电路电路、系统与设计(第2版)拉贝艾(Jan M.Rabaey)2
2016-10-20压缩成两部分,这是第二部分。 《数字集成电路:电路、系统与设计(第2版)》是美国加州大学伯克利分校经典教材。《数字集成电路:电路、系统与设计(第2版)》分三部分:基本单元、电路设计和系统设计。在对MO
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数字集成电路电路、系统与设计(第2版)拉贝艾(Jan M.Rabaey)1
2016-10-20压缩成两部分,这是第一部分。 《数字集成电路:电路、系统与设计(第2版)》是美国加州大学伯克利分校经典教材。《数字集成电路:电路、系统与设计(第2版)》分三部分:基本单元、电路设计和系统设计。在对MO
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深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟
2020-10-15为了研究深亚微米 SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13 μm SOI工艺 H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×108~1×1010 (Gy(Si)/s)的
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Fe3O4空心亚微米球的制备和吸波表征
2020-01-07Fe3O4空心亚微米球的制备和吸波表征,包家兴,刘晓芳,采用溶剂热法制得具有空心结构的单分散Fe3O4亚微米球,该空心微球具有立方多晶结构,且尺寸均匀,直径约800 nm。使用X线衍射仪(XRD)、�
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一种应用于深亚微米存储器的电荷泵设计
2020-08-29因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程,编程后的数据能长时间保存,且在编程时需要流过mA级以上的电流,所以只读存储器编程时通常采用外加编程高压,内部的电荷泵。在设计此类电荷泵时,击穿电压和体效应的影
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