NTD24N06G-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

NTD24N06G-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，采用TO252封装，可用于多种电子电力系统中。该晶体管的主要参数包括：承受电压为60V，最大持续电流为45A，导通电阻RDS(on)在栅源电压VGS为10V时为24毫欧，而在VGS为20V时的导通电阻未直接提供但可以预测会更低。阈值电压Vth为1.8V。 该晶体管的特性包括TrenchFET®功率MOSFET技术，以及175°C的结温。在产品摘要中提到的rDS(on)值表明在不同的VGS值下有不同的导通电阻，当VGS为10V时的导通电阻为0.025Ω，在VGS为4.5V时为0.030Ω。这说明晶体管的栅源电压对导通电阻有影响，栅源电压越高，导通电阻越低。 绝对最大额定值包括：栅源电压±20V，不同条件下的连续漏极电流，脉冲漏极电流，连续源电流，雪崩电流，单次雪崩能量，以及最大功耗。此外，还提到了最高结温和储存温度范围为-55°C到175°C。 热阻抗额定值包括在不同条件下的最大结温到环境的热阻抗，典型值和最大值。这有助于在设计时评估晶体管的散热需求。 在规格部分，列出了静态参数，包括漏源击穿电压，栅阈值电压，栅极-体漏电流，零栅压漏极电流和导通漏极电流。这些参数对了解晶体管的工作特性和设计应用范围非常重要。 该晶体管适用于多种应用，包括但不限于电源管理、电池管理、马达驱动控制、以及工业控制等领域。 由于部分扫描文档中的文字存在识别错误，以下是根据提供的信息理解并整理出的内容，可能不包含原始文档的所有细节，但保持了信息的完整性与准确性。