160N04L-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
160N04L-VB;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:40V;VGS:20(±V);Vth:2.5V;RDS(ON)=14mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V;ID:55A;Technology:Trench; ### 160N04L-VB N-Channel沟道TO252 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 本文档旨在详细介绍VBsemi生产的160N04L-VB型号N-Channel沟道TO252封装的MOSFET晶体管的技术规格、特性及其在不同应用场景中的表现。该器件采用先进的Trench技术制造,具有出色的性能指标和可靠性,适用于多种电子设备和系统设计中。 #### 器件特点 1. **TrenchFET®功率MOSFET**:利用先进的Trench结构提高导通效率,减少导通电阻。 2. **100% Rg和UIS测试**:确保每个器件都经过严格的质量控制,提供稳定的栅极电阻(Rg)和高耐用性。 3. **符合RoHS指令2011/65/EU**:环保友好,满足欧盟最新的有害物质限制标准。 #### 主要技术参数 - **封装形式**:TO252 - **配置**:单个N-Channel - **最大漏源电压(VDS)**:40V - **最大栅源电压(VGS)**:±20V - **阈值电压(Vth)**:2.5V - **导通电阻(RDS(ON))**: - 在VGS=4.5V时为14mΩ - 在VGS=10V时为12mΩ - **最大连续漏极电流(ID)**:55A - **技术类型**:Trench #### 绝对最大额定值 - **漏源电压(VDS)**:40V - **栅源电压(VGS)**:±20V - **连续漏极电流(ID)**: - 在TJ=175°C时为45A - 在TA=25°C时为45A - 在TA=70°C时为15.8A - **脉冲漏极电流(DM)**:200A - **雪崩电流(IL)**:0.1mA - **单脉冲雪崩能量(AS)**:4.8mJ - **连续源-漏极二极管电流(ISe)**:90A - **最大功耗(PD)**: - 在TA=25°C时为100W - 在TA=70°C时为75W - **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**:-55°C至175°C - **热阻**: - 最大结温到环境温度(RthJA):32~40°C/W - 稳态结温到壳体温度(RthJC):0.5~0.6°C/W #### 应用领域 1. **OR-ing电路**:用于电源切换或冗余电源系统中。 2. **服务器电源管理**:提供高效可靠的电力转换解决方案。 3. **DC/DC转换器**:适用于各种电压转换需求,如笔记本电脑适配器、工业电源等。 #### 性能指标 - **静态参数**: - **漏源击穿电压(VDS)**:在VGS=0V、ID=250µA时,最小值为40V。 #### 测试条件 - **脉冲测试**:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%。 - **保证设计,但不进行生产测试**:部分参数通过设计保证,不会在生产过程中进行逐项检测。 - **绝对最大额定值**:超出这些额定值可能永久损坏器件。这些额定值仅作为参考,不代表器件在这些条件下能够正常工作。 #### 结论 160N04L-VB是一款高性能、可靠且符合环保要求的N-Channel沟道TO252封装MOSFET晶体管。其优越的技术参数使其成为OR-ing电路、服务器电源管理和DC/DC转换器等多种应用的理想选择。通过本文档的详细介绍,设计师可以更好地理解该器件的特点并将其成功应用于实际项目中。 #### 参考资料 - [1] VBsemi官网: [160N04L-VB Datasheet](http://www.vbsemi.com) - [2] 服务热线: 400-655-8788 通过以上详尽的技术参数和应用指南,读者可以全面了解160N04L-VB的性能特征及其在实际工程中的运用场景。
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