053N06N-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
053N06N-VB;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:60V;VGS:20(±V);Vth:3V;RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V;ID:97A;Technology:Trench; ### 053N06N-VB N-Channel沟道TO252 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 本文档旨在详细介绍VBsemi生产的053N06N-VB型号N-Channel沟道TO252封装的MOSFET晶体管的技术规格、特性及其应用领域。此款晶体管因其卓越的性能在电源管理、开关电路设计及信号处理等应用中表现出色。 #### 主要特性 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**:采用先进的TrenchFET技术,确保低导通电阻和高效率。 - **低热阻封装**:TO252封装提供低热阻,有利于热量快速散出,提升整体散热性能。 - **全面测试**:所有产品均经过100%的Rg(栅极电阻)和UIS(Unclamped Inductive Switching)测试,确保产品的一致性和可靠性。 #### 参数详解 1. **VDS (Drain-Source Voltage)**:该MOSFET的最大漏源电压为60V,意味着当漏极与源极之间的电压超过此值时可能会导致损坏。 2. **VGS (Gate-Source Voltage)**:最大栅源电压为±20V,这表明栅极与源极之间的电压范围应该保持在此区间内以避免损坏晶体管。 3. **Vth (Threshold Voltage)**:阈值电压Vth为3V,这是指晶体管从截止状态转为导通状态所需的最小栅极电压。 4. **RDS(ON)**: - 在VGS=4.5V时,RDS(ON)为12mΩ; - 在VGS=10V时,RDS(ON)降低至4.5mΩ。 这表明随着栅极驱动电压的增加,晶体管的导通电阻减小,从而提高了效率。 5. **ID (Continuous Drain Current)**:连续漏极电流为97A,在此电流下晶体管可以持续工作而不会过热或损坏。 6. **Technology (技术)**:采用Trench工艺制造。 #### 绝对最大额定值 绝对最大额定值是晶体管正常运行时所不能超过的极限值,如果超出这些值,可能会导致永久性损坏: - **Drain-Source Voltage (VDS)**:60V。 - **Gate-Source Voltage (VGS)**:±20V。 - **Continuous Drain Current (ID)**:97A(TC = 25°C),56A(TC = 125°C)。 - **Continuous Source Current (IS)**:100A(脉冲测试)。 - **Pulsed Drain Current (IDM)**:290A(脉冲测试)。 - **Single Pulse Avalanche Current (IL)**:0.1mA。 - **Single Pulse Avalanche Energy (EAS)**:101mJ。 - **Maximum Power Dissipation (PD)**:136W(TC = 25°C),45W(TC = 125°C)。 - **Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ, TO)**:-55°C 至 +175°C。 #### 热阻评级 - **Junction-to-Ambient (RthJA)**:50°C/W(安装于1英寸方形PCB上)。 - **Junction-to-Case (RthJC)**:1.11°C/W。 #### 规格表 以下是在标准温度条件下(除非另有说明)的主要电气参数: - **静态** - **Drain-Source Breakdown Voltage (VDS)**:60V(VGS = 0V, ID = 250μA)。 - **Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th))**:2.0V 至 4.0V(VDS = VGS, ID = 250μA)。 - **Gate-Source Leakage (IGSS)**:±100nA(VDS = 0V, VGS = ±20V)。 - **Zero Gate Voltage Drain Current (IDSS)**:无数据。 #### 应用领域 - **电源转换器**:适用于DC-DC转换器中的开关元件,实现高效能电源管理。 - **电机控制**:在电机启动和速度调节过程中作为关键的开关元件。 - **电池管理系统(BMS)**:用于监测和控制电池组中的电流流动。 - **汽车电子**:适用于汽车电子系统中的各种控制和保护电路。 #### 结论 053N06N-VB是一款高性能的N-Channel沟道TO252封装MOSFET,具有低导通电阻、高可靠性等特点。其广泛的应用范围使其成为电源管理、电机控制等多个领域的理想选择。通过深入了解其技术规格和特性,可以帮助工程师更好地利用这款晶体管进行电路设计和优化。
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