180P3N-VB一款P-Channel沟道DFN8(3X3)封装的场效应MOS管

180P3N-VB；Package：DFN8(3X3)；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-30V；VGS：20（±V）；Vth：-2.5V；RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V；ID：-45A；Technology：Trench；