15N95K5-VB TO220F；Package：TO220F；Configuration：Single-N-Channel；VDS：900V；VGS：30（±V）；Vth：3.5V；RDS(ON)=370mΩ@VGS=10V；ID：15A；Technology：SJ_Multi-EPI；
### 15N95K5-VB TO220F N-Channel Super Junction MOSFET 参数介绍与应用说明
#### 产品概述
15N95K5-VB是一款高性能、高电压的N-Channel沟道超级结功率MOSFET晶体管，采用TO220F封装形式。该器件的主要特性包括低导通电阻与栅极电荷乘积（Ron x Qg）、低输入电容（Ciss）、极低的栅极电荷（Qg），以及具有雪崩能量保护功能等。这些特性使其在服务器电源供应器、电信电源供应器、开关模式电源（SMPS）、功率因数校正电源（PFC）及照明系统等领域得到广泛应用。
#### 主要技术参数
- **封装形式**：TO220F
- **配置**：单N-Channel沟道
- **最大漏源电压**（VDS）：900V
- **最大栅源电压**（VGS）：±30V
- **阈值电压**（Vth）：3.5V
- **导通电阻**（RDS(ON)）：370mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流**（ID）：15A
- **技术**：SJ_Multi-EPI（超级结多层外延技术）
#### 绝对最大额定值（TC=25°C，除非另有说明）
- **漏源电压**（VDS）：900V
- **栅源电压**（VGS）：±30V
- **连续漏极电流**（ID）：
- TJ=150°C时为15A
- TCVGS at 10 V = 25°C时为15A
- TA = 100°C时为2A
- **脉冲漏极电流**（IDM）：46A
- **线性退化因子**：7W/°C
- **单脉冲雪崩能量**（EAS）：97mJ
- **最大功率耗散**（PD）：68W
- **工作结温及储存温度范围**（TJ, Tstg）：-55°C至+150°C
- **漏源电压斜率**（dV/dt）：37V/ns
- **反向二极管dV/dt**（d6）：无具体数值
- **焊接建议（峰值温度）**：300°C（持续时间不超过10秒）
#### 热阻评级
- **最大结到环境热阻**（RthJA）：2°C/W
- **最大结到壳热阻**（RthJC）：0.7°C/W
#### 应用场景
- **服务器和电信电源供应器**
- 在这类应用中，高效率和小尺寸是关键需求。15N95K5-VB因其低损耗特性和紧凑的封装，非常适合用于设计高效能的服务器和电信电源。
- **开关模式电源（SMPS）**
- SMPS设计需要快速开关和低损耗的特性。这款MOSFET能够满足这些需求，提高整体效率并减少热量产生。
- **功率因数校正电源（PFC）**
- 在PFC电路中，MOSFET需要承受高压和高频切换。15N95K5-VB的高性能指标使得它成为PFC应用的理想选择。
- **照明系统**
- 包括高强度放电（HID）照明和荧光灯镇流器。在这些应用中，MOSFET需要具备高可靠性和良好的散热性能，15N95K5-VB通过其出色的散热能力和低损耗特性，能够有效支持这些需求。
#### 其他特性与注意事项
- **低功耗指标**（FOM）Ron x Qg
- 表示了器件在导通状态下的损耗和开关过程中的损耗之间的平衡，低FOM值意味着更好的综合性能。
- **低输入电容**（Ciss）
- 有助于减少开关损耗，提高效率。
- **极低的栅极电荷**（Qg）
- 减少开关时间，进一步降低开关损耗。
- **雪崩能量等级**（UIS）
- 提供了在发生过载或短路情况下的保护能力。
15N95K5-VB TO220F是一款性能卓越的N-Channel超级结功率MOSFET，适用于多种高压、大电流应用场合。其独特的设计和优秀的电气性能确保了在实际应用中的高效、稳定表现。
