SSM3J317T-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
### SSM3J317T-VB:P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 SSM3J317T-VB是一款P-Channel沟道的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用SOT23封装形式。它主要应用于负载开关、功率放大器开关以及DC/DC转换器等电子设备中。该MOSFET具有以下特点: - 符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。 - 采用了TrenchFET®技术来提高功率效率。 - 100%进行栅极电阻测试,确保一致性。 - 遵循RoHS指令2002/95/EC,环保无铅。 #### 绝对最大额定值(TA = 25°C,除非另有说明) - **漏源电压** (VDS): 最大-20V。 - **栅源电压** (VGS): ±12V。 - **连续漏极电流** (ID) 在不同温度条件下的限值为: - TJ = 150°C, TA = 25°C时,最大-4A。 - TA = 70°C时,最大-3.2A。 - TA = 25°C时,最大-3.5A。 - TA = 70°C时,最大-2.5A。 - **脉冲漏极电流** (IPulsed Drain Current DM) 最大-10A。 - **连续源漏二极管电流** (IS): - TA = 25°C时,最大-2A。 - TA = 25°C时,最大-1.0A。 - **最大功耗** (PD): - TA = 25°C时,最大2.5W。 - TA = 70°C时,最大1.6W。 - TA = 25°C时,最大1.25W。 - TA = 70°C时,最大0.8W。 - **工作结温范围** (TJ, Tstg): -55至150°C。 #### 热阻参数 - **结到环境的最大热阻** (RthJA): 典型75°C/W,最大100°C/W。 - **结到脚的最大热阻** (RthJ): 典型40°C/W,最大50°C/W。 #### 动态参数 - **导通电阻** (RDS(on)) 在不同栅极驱动电压下为: - VGS = -10V时,最小0.060Ω。 - VGS = -4.5V时,最小0.065Ω。 - VGS = -2.5V时,最小0.080Ω。 - **栅电荷** (Qg(Typ.)): 10nC。 #### 测试条件 - **测试温度** (TC): 25°C。 - **表面贴装在1" x 1" FR4板上**。 - **持续时间** (t): 5秒。 - **最大稳态温度** (Tmax): 166°C/W。 #### 特性 - 符合IEC 61249-2-21定义的无卤素标准。 - 采用了TrenchFET®技术,提高了功率效率。 - 100%进行栅极电阻测试,确保产品一致性。 - 遵循RoHS指令2002/95/EC,符合环保无铅要求。 #### 应用场景 - **负载开关**: 用于控制电路中的负载,例如电源管理中的开关功能。 - **功率放大器开关**: 用于功率放大器电路中的开关元件,能够承受高电压和电流。 - **DC/DC转换器**: 用于电源管理电路中,实现电压变换功能。 #### 注意事项 - 超过绝对最大额定值可能永久损坏器件。 - 这些额定值仅作为应力参考,不代表器件可以在这些条件下正常运行。 - 长时间暴露于绝对最大额定值可能会降低器件可靠性。 SSM3J317T-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,适用于多种电子设备的应用场景。其出色的性能指标和环保特性使其成为电源管理和功率放大器设计的理想选择。































- 粉丝: 8293
我的内容管理 展开
我的资源 快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益我的积分 登录查看自己的积分
我的C币 登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助


最新资源
- 软件系统日常运维服务方案.doc
- 鼎信诺审计软件教程1教材课程.ppt
- spring基础功能分享.ppt
- 人工智能的历史、现状、前景演示教学.ppt
- 2048基于JAVA课设设计.pdf
- 贝塞尔大地主题正反算及其编程.doc
- 数据库应用期末.doc
- 数据库项目设计实验报告.doc
- 办公自动化设备与机电知识数码相机.doc
- 企业网站策划书.docx
- 机电控制与PLC9 PPT.ppt
- 2023年信息学竞赛计算机基础知识讲义范奂垒.doc
- 计算机视觉在产品检测中的应用的开题报告.docx
- Access-VBA数据库编程ppt课件(1).ppt
- 第一计算机辅助设计与仿真技术概述 ppt.pptx
- 基于并发技术的Web-Service的设计与研究的开题报告.docx


