### CES2313A-VB — P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
#### 概述
CES2313A-VB是一款P-Channel沟道的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用SOT23封装形式。它具有以下特性：最大额定工作电压为-30V，连续电流能力为-5.6A，在VGS=10V时的导通电阻RDS(ON)为47mΩ，阈值电压Vth为-1V。这款MOSFET适用于移动计算设备中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等应用场景。
#### 特点
- **TrenchFET® Power MOSFET技术**：该技术提高了器件的性能，降低了功耗。
- **全测试的Rg**：100%的Rg（栅极电阻）经过了严格的测试，确保了器件的一致性和可靠性。
#### 应用领域
- **移动计算**：
- 负载开关：在电源管理中起到关键作用，用于控制电源流向不同的负载。
- 笔记本适配器开关：用于控制电源适配器与笔记本电脑之间的电源流动。
- DC/DC转换器：将一种直流电压转换为另一种直流电压的电路，在各种电子设备中广泛使用。
#### 产品概览
- **工作电压**：最大工作电压为-30V，适合在负压电源系统中使用。
- **导通电阻**：
- 在VGS=-10V时，RDS(ON)典型值为0.046Ω。
- 在VGS=-6V时，RDS(ON)为0.049Ω。
- 在VGS=-4.5V时，RDS(ON)为0.054Ω。
- **连续电流**：连续电流能力为-5.6A（在环境温度25°C下）。
- **门极电荷**：门极电荷(Qg)典型值为11.4nC。
#### 绝对最大额定值
- **漏源电压(VDS)**：-30V。
- **栅源电压(VGS)**：±20V。
- **连续漏极电流(ID)**：
- 环境温度25°C时，连续电流为-5.6A。
- 环境温度70°C时，连续电流为-4.3A。
- **脉冲漏极电流(IDM)**：-18A。
- **连续源漏二极管电流(IS)**：-2.1A（环境温度25°C下）。
- **最大功率耗散(PD)**：
- 环境温度25°C时，最大功率耗散为2.5W。
- 环境温度70°C时，最大功率耗散为1.6W。
- **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：-55°C至150°C。
- **热阻**：
- 最大结温到环境温度(RthJA)：75°C/W至100°C/W。
- 最大结温到脚(漏极)温度(RthJF)：40°C/W至50°C/W。
#### 测试条件与注意事项
- **脉冲测试**：脉冲宽度不超过300µs，占空比不超过2%。
- **设计保证**：部分参数由设计保证，不作为生产测试的一部分。
- **超限警告**：超出绝对最大额定值可能对器件造成永久性损坏。这些额定值仅作为应力参考，并不意味着在这些条件下或超出规格书中操作部分指示的任何其他条件下，器件能够正常工作。
#### 总结
CES2313A-VB是一款高性能的P-Channel沟道MOSFET，采用了先进的TrenchFET技术，适用于需要高效率和可靠性的移动计算设备中。通过其广泛的绝对最大额定值和严格的测试标准，确保了在复杂应用环境下的稳定运行。
