079N06L-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
079N06L-VB;Package:TO252;Configuration:Single-N-Channel;VDS:60V;VGS:20(±V);Vth:3V;RDS(ON)=12mΩ@VGS=4.5V;RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V;ID:97A;Technology:Trench; ### 079N06L-VB N-Channel沟道TO252 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 079N06L-VB是一款采用TO252封装的单N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有低热阻封装、高可靠性以及良好的电气性能等特点。该器件适用于各种电源管理应用,如开关电源、电机驱动、逆变器等场合。 #### 主要特点 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**:采用了先进的沟槽栅极技术,有效降低了导通电阻,提高了效率。 - **低热阻封装**:TO252封装提供了良好的散热性能,有利于提高系统的整体热性能。 - **全面测试**:确保每个产品都经过严格的Rg(输入电阻)和UIS(Unclamped Inductive Switching)测试,保证了产品的可靠性和一致性。 #### 绝对最大额定值 (TC = 25 °C) - **漏源电压(VDS)**:±60V - **栅源电压(VGS)**:±20V - **连续漏极电流(ID)**:97A (TC = 25 °C) - **脉冲漏极电流(IDM)**:290A - **单脉冲雪崩电流(IL)**:45A (IL = 0.1 mA) - **单脉冲雪崩能量(EAS)**:101mJ - **最大功率耗散(PD)**:136W (TC = 25 °C) - **工作结温范围(TJ)**:-55°C 至 +175°C #### 动态特性 - **导通电阻(RDS(ON))**: - 4.5mΩ @ VGS = 4.5V - 0.0120Ω @ VGS = 10V - **栅源阈值电压(VGS(th))**:2.0V 至 4.0V - **栅源漏电流(IGSS)**:≤±100nA @ VGS = ±20V - **零栅压漏电流(IDSS)**:≤250μA @ VDS = 60V #### 热阻特性 - **结至环境热阻(RthJA)**:50°C/W (安装在1英寸正方形PCB上,材料为FR-4) - **结至壳体热阻(RthJC)**:1.11°C/W #### 应用领域 - **电源管理**:开关电源、稳压器、DC/DC转换器。 - **电机控制**:电机驱动、伺服系统、风扇控制器。 - **逆变器**:太阳能逆变器、不间断电源(UPS)。 - **汽车电子**:电动汽车动力系统、车载充电器、电池管理系统。 #### 测试条件与注意事项 - **静态测试条件**:除非另有说明,所有测试均在室温下进行(TC = 25 °C)。 - **动态测试条件**: - 脉冲宽度 ≤ 300 μs - 占空比 ≤ 2% - **超出绝对最大额定值**:超过上述规定的绝对最大额定值可能会导致永久性损坏。这些额定值仅作为压力等级参考,并不代表在任何条件下都能正常运行。 #### 结论 079N06L-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET,适用于各种电源管理和电机控制应用。其先进的TrenchFET技术、优秀的电气性能及低热阻设计使其成为许多工业和消费电子设备的理想选择。通过全面的测试确保了产品的可靠性,适合要求苛刻的应用场景。
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