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带隙基准电压源(Bandgap)设计范例
带隙基准电压源(Bandgap)设计范例
带隙基准电压源(Bandgap)设计范例
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带隙基准电压源(Bandgap)设计范例
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带隙基准电压源设计
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毕业设计 带隙基准电压源设计 bandgap
一款新颖的带隙基准电压源设计
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基于TSMC0．5μmCMOS工艺，设计了一款带隙基准源电路。与传统电压基准相比，该电路运用高增益的运算放大器进行内部负反馈。采用嵌套式密勒补偿，设计的低温漂、高电源抑制、低功耗的带隙基准电压源。仿真结果显示，该电路所产生的基准电压精度为13．2×10-6／℃，低频时的电源抑制为-98dB，静态工作电流为3μA。
bandgap版图设计
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本论文首先介绍半导体制造技术、模拟IC版图设计的基本流程，然后通过bandgap的单元版图设计到整体版图设计流程具体介绍模拟版图设计的一些细节和一些问题的解决方法，最后介绍一些平面布局及封装技术。 本设计使用cadence 全定制设计工具IC610进行bandgap的版图设计，其后使用diva对版图进行物理验证。
带隙基准电压源电路设计研究
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本文采用自偏压电流源电路，去掉运算放大器，利用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流，得到了在-20～+80℃温度范围内具有3×10-6？℃的温度系数的基准电压。
bandGap内部基准电压的计算.c
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基准有两个材料串联而成，分别为温度正材料（温度升高阻值变大）和温度负材料（温度升高阻值变小）串联而成，这样，两个材料互相抵消，基准值就不会随温度发生变化。stc单片机的adc（模数转换器）的基准是基于基于供电电源电压的，这样就造成了一个问题，如果供电电压发生变化，adc读得的值也会发生变化，就出现了测不准的现象，所以大家普遍的用法就是在adc的一个通道外接一个电压基准，类似tl431，通过读电压基
bandgap-ref-on-sky130:带隙参考电路在Skywater 130nm pdk上的实现
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带隙ref-on-sky130 在Skywater的130nm pdk上实现带隙基准电路。 带隙参考设计 目录 介绍 这里提出了在Skywater的开源Craft.io设计套件（pdk）上实现CMOS带隙参考电路的示例。请查看reports文件夹中的'Stage_1_Introduction_to_BGR.pdf'文件以获取更多信息。 要求 设计规范和要求列在“ bandgap_circuit_r
论文研究-A high PSR Bandgap Reference in BCD process.pdf
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一种基于BCD工艺的高PSR帯隙基准源，韩荆宇，杨兵，本文在已有的Brokaw带隙基准的基础上进行改进，提出了一种可以输出4.75 v及1.186 v的参考电压的带隙基准。此带隙基准的4.75 v输出电压在��
带隙基准源电路的基本原理及仿真分析
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模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。
《运放设计宝典》之专题一 bandgap
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《运放设计宝典》之专题一 bandgap; 设计模拟集成电路的重要资料；
一种带隙基准电压源设计
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基准电压源是在电路系统中为其它功能模块提供高精度的电压基准，它是模拟集成电路和混合集成电路中非常重要的模块。文中主要研究了带隙基准基本原理的基础上，设计了一款应用于折叠插值ADC中粗量化电路部分CMOS带隙基准源。最后通过Pspice仿真给出了实验仿真的结果。
一种新型带隙基准源设计
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在对传统一阶补偿带隙基准分析的基础上，提出了一种新型高阶补偿技术，并应用该技术设计了一款在宽温度范围内具有低温度系数的曲率补偿电压基准。基于VIS 0.15 μm BCD工艺对提出的电路结构进行了设计与仿真。仿真结果表明，该基准电路的输出电压平均值为539 mV；在宽温度范围(-60 ℃~120 ℃)内，温度系数为1.40 ppm/℃；环境温度为27 ℃，电源电压在1.3 V~2.1 V范围内时，
一种带隙基准电压源的设计与仿真
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设计了一款带隙基准电压源，基于0．18μm的CMOS工艺，在Hspice下仿真，仿真结果表明，温度在-25～80℃内变化时，温度系数为9．14×10-6℃；电源电压在3～5 V之间变化时，基准电压在1 250±43 mV内变化，满足设计要求。
一个高性能带隙基准电压源的设计
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基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个具有低温度系数、高电源电压抑制的基准电压是整个系统设计的前提。
带隙基准源
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非常具有参考使用价值和意义的带隙基准源参考资料
模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计
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0 引言 随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数
宽输入、高电源电压抑制的带隙基准电压源设计
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一种Brokaw带隙电压基准的分析与设计 (2007年)
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目的在分析运算放大器对带隙基准影响的基础上，分析并设计一种Brokaw(2.5V，13.3×10-6/℃)的带隙电压基准。方法 以Brokaw带隙基准电压源结构为基础来进行设计。结果 经过上华0.6斗m Bicmos工艺的仿真，在温度-40℃到+85℃的变化范围内，基准电压变化范围为2.5±0.001V。其温度系数为13.3×10-6/℃。结论 电路完成了一阶温度补偿，温度漂移较小。
一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源.pdf
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Cadence 集成电路 CMOS 带隙基准源
《运放设计宝典》之专题一：bandgap & bias.rar
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基于TL431电压基准的STC15W408AS-10位AD转换核心代码
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基于TL431电压基准的STC15W408AS-10位AD转换核心代码 ，有电压计算方法，没有修正，请参考
STC单片机ADC及其第九通道BandGap的应用.pdf
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8 无运放的带隙基准设计 工艺角模拟
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华南理工大学华工模集课设报告及设计文件
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1.学会使用数模混合集成电路设计EDA工具进行简单的模拟集成电路设计的流程，包括cadence的virturso原理图输入、版图设计，cadence的spectre电路仿真，及 2.学会使用仿真进行性能的调整，包括DC仿真、AC仿真、TF仿真、PSRR仿真、温度仿真。二、设计任务要求 设计一个运算放大器（opam）电路，用带隙基准源（bandgap）提供偏置。 （1）VDD=3.3 V, 1:B是
CMOS带隙基准电压源的设计
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CMOS带隙基准电压源的设计、电子技术,开发板制作交流
0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计
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本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进，使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。
0.18 μm CMOS带隙基准电压源的设计[图]
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SMOS带隙基准源设计
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