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FD6288是一款集成了三个独立的半桥栅极驱动集成电路芯片,专为高压、高速驱动MOSFET和IGBT设计,可在高达+250V电压下工作。 FD6288内置VCC/VBS欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作。 FD6288内置直通防止和死区时间,防止被驱动的高低侧MOSFET或IGBT直通,有效保护功率器件。FD6288内置输入信号滤波,防止输入噪声干扰。
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FD6288
www.fortiortech.com
概述
FD6288 是一款集成了三个独立的半桥栅
极驱动集成电路芯片,专为高压、高速驱动
MOSFET 和 IGBT 设计,可在高达+250V 电压下
工作。
FD6288 内置 VCC/VBS 欠压(UVLO)保护
功能,防止功率管在过低的电压下工作。
FD6288 内置直通防止和死区时间,防
止被驱动的高低侧 MOSFET或 IGBT直通,
有效保护功率器件。
FD6288 内置输入信号滤波,防止输入噪
声干扰。
封装
TSSOP20 QFN24
产品特点
悬浮绝对电压+250V
电源电压工作范围:5.0~20V
集成三个独立的半桥驱动
输出电流+1.5A/-1.8A
3.3V/5V输入逻辑兼容
VCC/VBS欠压保护(UVLO)
内置直通防止功能
内置200ns死区时间
内置输入滤波功能
高低端通道匹配
输出与输入同相
应用
三相直流无刷电机驱动
订购信息
产品名称
封装形式
订货型号
FD6288T
TSSOP20
FD6288T
FD6288Q
QFN24
FD6288Q
FD6288
REV_Preliminary 3 www.fortiortech.com
1.绝对最大额定值(除非特殊说明,所有管脚均以 COM 作为参考点)
电压超过绝对最大额定值,可能会损坏芯片。芯片长久地工作在推荐的工作条件之上,可能会影响
其可靠性。不建议芯片在推荐的工作条件之上长期工作。
参数
符号
范围
单位
高侧浮动绝对电压
V
B1,2,3
-0.3~275
V
高侧浮动偏移电压
V
S1,2,3
V
B1,2,3
-25~V
B1,2,3
+0.3
V
高侧输出电压
V
HO1,2,3
V
S1,2,3
-0.3~V
B1,2,3
+0.3
V
低侧供电电压
V
CC
-0.3~25
V
低侧输出电压
V
LO1,2,3
-0.3~V
CC
+0.3
V
逻辑输入电压(HIN, LIN)
V
IN
-0.3~V
CC
+0.3
V
偏移电压压摆率范围
dV
S
/dt
≤50
V/ns
功率耗散@T
A
≤25C
TSSOP20
P
D
≤1.25
W
QFN24
P
D
≤3.0
W
结对环境的热阻
TSSOP-20
R
thJA
≤100
C/W
QFN24
R
thJA
≤42
C/W
结温范围
T
j
≤150
C
储存温度范围
T
stg
-55~150
C
注意:在任何情况下,不要超过 P
D
。
2. 推荐工作条件(所有电压均以 COM 为参考点)
建议不超过推荐的工作条件,或将绝对最大额定值设计为工作条件。
参数
符号
最小值
最大值
单位
高侧浮动绝对电压
V
B1,2,3
V
S1,2,3
+5.0
V
S1,2,3
+20
V
静态高侧浮动偏移电压
V
S1,2,3
COM-2(注 1)
250
V
动态高侧浮动偏移电压
V
S1,2,3
-50(注 2)
250
V
高侧输出电压
V
HO1,2,3
V
S1,2,3
V
B1,2,3
V
低侧供电电压
V
CC
5.0
20
V
低侧输出电压
V
LO1,2,3
0
V
CC
V
逻辑输入电压(HIN, LIN)
V
IN
0
V
CC
V
环境温度
T
A
-40
125
C
注 1:V
S1,2,3
为(COM-2V)到 250V 时,HO 正常工作。V
S1,2,3
为(COM-2V)到(COM-V
BS
)时,HO
逻辑状态保持。
注 2:V
S1,2,3
为(COM-50V),宽 50ns 的瞬态负电压时,HO 正常工作。
FD6288
REV_Preliminary 4 www.fortiortech.com
3. 静态电气参数(除非特别注明,否则 T
A
=25C,V
CC
=V
BS1,2,3
=15V,V
S
=COM)
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
高电平输入阈值电压
V
IH
2.7
--
--
V
低电平输入阈值电压
V
IL
--
--
0.8
V
V
CC
欠压保护跳闸电压
V
CCUV+
4.2
4.6
5.0
V
V
CC
欠压保护复位电压
V
CCUV-
3.9
4.3
4.7
V
V
CC
欠压保护迟滞电压
V
CCUVH
0.2
0.3
--
V
V
BS
欠压保护跳闸电压
V
BSUV+
4.2
4.6
5.0
V
V
BS
欠压保护复位电压
V
BSUV-
3.9
4.3
4.7
V
V
BS
欠压保护迟滞电压
V
BSUVH
0.2
0.3
--
V
悬浮电源漏电流
I
LK
V
B1,2,3
=V
S1,2,3
=250V
--
0.1
5.0
μA
V
BS
静态电流
I
QBS
V
IN
=0V 或 5V
--
180
270
μA
V
BS
动态电流
I
PBS
f
HIN1,2,3
=20kHz
--
180
270
μA
V
CC
静态电流
I
QCC
V
IN
=0V 或 5V
--
330
500
uA
V
CC
动态电流
I
PCC
f
LIN1,2,3
=20kHz
--
330
500
uA
LIN 高电平输入偏置电流
I
LIN+
V
LIN
=5V
--
25
40
μA
LIN 低电平输入偏置电流
I
LIN-
V
LIN
=0V
--
--
1
μA
HIN 高电平输入偏置电流
I
HIN+
V
HIN
=5V
--
25
40
μA
HIN 低电平输入偏置电流
I
HIN-
V
HIN
=0V
--
--
1
μA
输入下拉电阻
R
IN
140
200
260
KΩ
高电平输出电压
V
OH
I
O
=100mA
--
0.6
0.9
V
低电平输出电压
V
OL
I
O
=100mA
--
0.3
0.45
V
高电平输出短路脉冲电流
I
OH
V
O
=0V,V
IN
=5V,PWD≤10μs
1.1
1.5
1.9
A
低电平输出短路脉冲电流
I
OL
V
O
=15V,V
IN
=0V,PWD≤10μs
1.3
1.8
2.3
A
V
S
静态负压
V
SN
--
-6.0
--
V
4. 动态电气参数(除非特别注明,否则 T
A
=25C,V
CC
=V
BS1,2,3
=15V,V
S
=COM)
参数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输出上升沿传输时间
t
on
--
300
450
ns
输出下降沿传输时间
t
off
--
100
160
ns
输出上升时间
t
r
C
L
=1000pF
--
12
25
ns
输出下降时间
t
f
C
L
=1000pF
--
12
25
ns
高低侧延时匹配
MT
--
--
30
ns
死区时间
DT
100
200
300
ns
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