NOR flash和NAND flash区别,RAM 和ROM区别
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2011-06-20
10:22:18
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和 指的都是半导体存储器， 是 的缩写， 是
的缩写。 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而
通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的 就是计算机的内存。
有两大类，一种称为静态 （）， 速度非常快，是目
前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如
的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态 （），
保留数据的时间很短，速度也比 慢，不过它还是比任何的 都要快，但从价格
上来说 相比 要便宜很多，计算机内存就是 的。
分为很多种，常见的主要有 、、、
、、 以及 等，这里介绍其中的一种 。
（）也称作 ，这种改进型的 和 是
基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加
倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了 的另
外一种内存标准－ !。在很多高端的显卡上，也配备了高速 来
提高带宽，这可以大幅度提高 " 加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：
内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的
内存指的是动态内存（即 ），动态内存中所谓的#动态#，指的是当我们将数据写入
后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个 的存储单元存储的是 $ 还是 % 取决于电容是否有电
荷，有电荷代表 %，无电荷代表 $。但时间一长，代表 % 的电容会放电，代表 $ 的电容会
吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的
%／&，则认为其代表 %，并把电容充满电；若电量小于 %／&，则认为其代表 $，并把电容
放电，藉此来保持数据的连续性。
也有很多种， 是可编程的 ， 和 （可擦除可编程 ）
两者区别是， 是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，
现在已经不可能使用了，而 是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的
存储器。另外一种 是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。
举个例子，手机软件一般放在 中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是
存在 中的，不是马上写入通过记录（通话记录保存在 中），因为当时有
很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。
'( 存储器又称闪存，它结合了 和 的长处，不仅具备电子可擦除可编程
（）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（)* 的优势），
盘和 " 里用的就是这种存储器。在过去的 &$ 年里，嵌入式系统一直使用
（）作为它们的存储设备，然而近年来 + 全面代替了 （）
在嵌入式系统中的地位，用作存储 , 以及操作系统或者程序代码或者直接当硬
盘使用（ 盘）。
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