存储器区别
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2012-02-27
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转：EEPROM、EPROM、FLASH 的区别总结
(2009-10-23 08:58:52)
EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。
EPROM 的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM
的单元是由 FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的
Transister 组成，由于 FLOTOX 的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH
是结合 EPROM 和 EEPROM 技术达到的，很多 FLASH 使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除
和 EEPROM 一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，FLASH 对芯片提供大块
或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要 EEPROM 单元里那个多余的
Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另 FLASH 的浮栅工艺上也不同，写入速度
更快。
其实对于用户来说，EEPROM 和 FLASH 的最主要的区别就是
1.EEPROM 可以按“位”擦写，而 FLASH 只能一大片一大片的擦。
2.EEPROM 一般容量都不大，如果大的话，EEPROM 相对与 FLASH 就没有价格上的优势
了。市面上卖的 stand alone 的 EERPOM 一般都是在 64KBIT 以下，而 FLASH 一般都是
8MEG BIT 以上（NOR 型）。
3.读的速度的话，应该不是两者的差别，只是 EERPOM 一般用于低端产品，读的速度
不需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和 FLASH 差不多。
4.因为 EEPROM 的存储单元是两个管子而 FLASH 是一个（SST 的除外，类似于两管），
所以 CYCLING 的话，EEPROM 比 FLASH 要好一些，到 1000K 次也没有问题的。
总的来说，对与用户来说，EEPROM 和 FLASH 没有大的区别，只是 EEPROM 是低端产品，
容量低，价格便宜，但是稳定性较 FLASH 要好一些。
但对于 EEPROM 和 FLASH 的设计来说，FLASH 则要难的多，不论是从工艺上的还是从
外围电路设计上来说。
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