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微机原理 Proteus和存储器的仿真
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2014-10-28
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动态RAM(DRAM)以电荷形式存储信息的器件。 以INTEL2164为例 2164为64K×1 16根地址分为两组 RAS(行地址有效)时, A0—A7有效 CAS(列地址有效)时, A8—A15有效 DIN为数据输入,DOUT为数据输出 2164内部有4个128×128的存贮矩阵 DRAM必须在2ms内对所有内存单元刷新 RAS作为刷新的选通信号 刷新时按行进行,且数据线不起作用
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第五章 存储器
主要内容
一、存储器的主要性能指标
二、存储器的分类
三、内存的基本组成
四、存储系统的层次结构
五、 SRAM 和 DRAM
六、存储器的接口设计
七、 cache
八、虚拟存储器
一、存储器的主要性能指标
•
存储器性能指标主要有五项:
容量、速度、功耗、可靠性、集成度。
1 、存储器容量
2 、存取速度
3 、功耗
4 、可靠性
5 、集成度
1 、存储器容量
存储器容量 :
•
通常计算机编址单元是字节 / 字二个字节定义成一
个字),存储器的容量是指一个存储器中单元总数,
用字数或字节数表示。也可以用二进制位( bit )
来表示。
如 64K 字 =64K×16 位,
512KB ( B 表示字节) =512K×8 位。
外存为了表示更大的容量,采用 MB 、 GB 、 TB 等。
其中 :
1KB=2
10
B , 1MB=2
20
B , 1GB=2
30
B , 1TB=2
40
B
2 、存取速度
存取速度:
•
存储器的存取速度 :
是指访问(读 / 写)一次存储器所需要的时间。
常用存储器的存取时间 (Memory Access Time)
和存储周期表示,
•
MOS 工艺的存储器存取周期数为数十 - - 数百 nS ,
双极型 RAM 存取周期最快可达 10nS 以下,
一般存储周期略大于存取时间,
其差别取决于主存的物理实现细节。
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