集成电路版图设计复习
一、 名词解释
1.版图设计:根据逻辑与电路功能和性能要求以及工艺水平要求,来设计光刻用的掩
膜版图,是集成电路设计的最终输出。
2.布图规划:根据模块所包含的器件数估计其面积,再根据该模块与其他模块的连接
关系以及上一层模块或芯片的形状,估计该模块的形状和相对位置
3.几何设计规则:可看作光刻掩模版的制备要求,这些规则在生产阶段为电路设计师
和工艺工程师提供了一种必要的信息联系。与版图规则相联系的主要目标是获得具有
最佳成品率的电路,而几何尺寸则尽可能地小,同时又不影响器件电路的可靠性。
4.随机失配:方差
称为随机失配。由于尺寸、掺杂、氧化层厚度
等影响元件值的参量的微观波动导致的
5.特征尺寸:器件中最小线条宽度,也可定义为最小线条宽度与线条间距之和的一半。
6.dummy 元件: 加入虚假器件使所有的器件都有相同的边界条件,解决匹配问题
7.闩锁效应(latch-up 效应):在 N 阱 CMOS 电路中,存在寄生 pnp 和 npn 晶体管,
以及 N 阱和衬底寄生电阻,有可能形成正反馈回路;MOS 晶体管漏极的大信号摆动,
通过漏极寄生电容向 N 阱和衬底灌入电流,形成正反馈回路的触发条件;若正反馈回
路的回路增益大于一,则有可能被触发而导致 latch-up,从电源汲取大电流。多发生在
大的数字输出反相器。
8.天线效应:当大面积的金属 1 直接与栅极相连,在金属腐蚀过程中,其周围聚集的
离子会增加其电势,进而使栅电压增加,导致栅氧化层击穿。
二、 简答题
1. 版图设计流程:划分、布图规划和布局、布线、压缩。
2. 版 图 设 计 完 成 后 需 要 经 过 DRC 、 ERC 、 LVS 、 POSTSIM 这 四 个 步 骤 ,
DRC、ERC、LVS、POSTSIM 各指什么:DRC:几何设计规则检查;ERC:电学规则
检查;LVS:网表一致性检查;POSTSIM:后仿真,产生测试向量。
3. 集成电路定义:是通过一系列特定的加工工艺,将有源器件和无源器件,按照一
定的电路互连,“集成”在一块半导体晶片上,封装在一个外壳内,执行特定电路或
系统功能的一种器件。
4. 基于标准单元法的定义及和基于积木块法之间的区别:定义:采用定制方法预先
设计好的称为标准单元的逻辑单元。基于积木块法与标准单元不同之处是:第一,
它既不要求每个单元(或称积木块)等高,又不要求等宽。第二,它没有统一的
布线通道,而是根据需要加以分配。
5. 等比例缩小规则及对延迟时间,保护电流的影响:是指横向尺寸、纵向尺寸以及
电源电压按相同比例缩小。
6. 接触孔,通孔及焊盘的作用:接触孔(contact)特指最低层金属孔,用于将最低
层金属和多晶硅或者扩散层连接起来;通孔(via)则是指允许更高层金属进行相
互连接的孔。