NAND Flash产生坏块原因
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2011-05-27
16:57:36
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NAND Flash 产生坏块原因
由于 NAND Flash 的工艺不能保证 NAND 的 Memory Array 在其生命周期中保持性能的可靠，
因此，在 NAND 的生产中及使用过程中会产生坏块。坏块的特性是：当编程 /擦除这个块
时，不能将某些位拉高，这会造成 Page Program 和 Block Erase 操作时的错误，相应地反映
到 Status Register 的相应位。总体上，坏块可以分为两大类：
1.固有坏块
这是生产过程中产生的坏块，一般芯片原厂都会在出厂时都会将坏块第一个 page 的 spare
area 的第 6 个 byte 标记为不等于 0xff 的值。
2.使用坏块
这是在 NAND Flash 使用过程中，如果 Block Erase 或者 Page Program 错误，就可以简单地
将这个块作为坏块来处理，这个时候需要把坏块标记起来。为了和固有坏块信息保持一致
将新发现的坏块的第一个 page 的 spare area 的第 6 个 Byte 标记为非 0xff 的值。
我们了解了 NAND Flash 出厂时在 spare area 中已经反映出了坏块信息，因此，如果在擦
除一个块之前，一定要先 check 一下 spare area 的第 6 个 byte 是否是 0xff，如果是就证明这
是一个好块，可以擦除；如果是非 0xff，那么就不能擦除。当然，这样处理可能会犯一个
错误―――“错杀伪坏块”，因为在芯片操作过程中可能由于电压不稳定等偶然因素会造成
NAND 操作的错误。但是，为了数据的可靠性及软件设计的简单化，我们就要奉行“蒋委员
长”的“宁可错杀一千，也决不放过一个”的宗旨。
补充说明：
1.需要对前面由于 Page Program 错误发现的坏块进行一下特别说明。如果在对一个块的
某个 page 进行编程的时候发生了错误就要把这个块标记为坏块，首先就要把其他好的 page
里面的内容备份到另外一个空的好块里面，然后，把这个块标记为坏块。当然，这可能会
犯“错杀”之误，一个补救的办法，就是在进行完页备份之后，再将这个块擦除一遍，如果
Block Erase 发生错误，那就证明这个块是个真正的坏块，那就毫不犹豫地将它打个“戳”吧！
2.可能有人会问，为什么要使用 spare area 的第六个 byte 作为坏块标记。这是 NAND
Flash 生产商的默认约定，你可以看到 Samsung,Toshiba,STMicroelectronics 都是使用这个
Byte 作为坏块标记的。
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