技巧和诀窍
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技巧和诀窍简介
技巧 #1: 使用 LDO 稳压器,从 5V 电源向 3.3V 系统供
电 ..................................................................4
技巧 #2: 选择方案:采用齐纳二极管的低成本供电系统
......................................................................6
技巧 #3: 选择方案:采用 3 个整流二极管的更低成本供
电系统 ...........................................................8
技巧 #4: 使用开关稳压器,从 5V 电源向 3.3V 系统供
电 ................................................................10
技巧 #5: 3.3V Æ 5V 直接连接 ...................................13
技巧 #6: 3.3V Æ 5V 使用 MOSFET 转换器...............14
技巧 #7: 3.3V Æ 5V 使用二极管补偿.........................16
技巧 #8: 3.3V Æ 5V 使用电压比较器.........................18
技巧 #9: 5V Æ 3.3V 直接连接 ...................................21
技巧 #10:5V Æ 3.3V 使用二极管钳位 ........................22
技巧 #11:5V Æ 3.3V 有源钳位...................................24
技巧 #12:5V Æ 3.3V 电阻分压器 ...............................25
技巧 #13:3.3V Æ 5V 电平转换器 ...............................29
技巧 #14:3.3V Æ 5V 模拟增益模块............................ 32
技巧 #15:3.3V Æ 5V 模拟补偿模块............................ 33
技巧 #16:5V Æ 3.3V 有源模拟衰减器 ........................34
技巧 #17:5V Æ 3.3V 模拟限幅器 ...............................37
技巧 #18:驱动双极型晶体管...................................... 41
技巧 #19:驱动 N 沟道 MOSFET 晶体管 ....................44
目录
技巧和诀窍
技巧和诀窍
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注:
技巧和诀窍
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技巧和诀窍简介
3.3 伏至 5 伏连接。
概述
我们对处理速度的需求日益增长,伴随着这种增
长,用来构建单片机的晶体管尺寸则在持续减小。
以更低的成本实现更高的集成度,也促进了对更小
的几何尺寸的需求。随着尺寸的减小,晶体管击穿
电压变得更低,最终,当击穿电压低于电源电压
时,就要求减小电源电压。因此,随着速度的提高
和复杂程度的上升,对于高密度器件而言,不可避
免的后果就是电源电压将从 5V 降至 3.3V,甚至
1.8V。
Microchip 单片机的速度和复杂性已经到达足以要
求降低电源电压的程度,并正在向 5V 电源电压以
下转换。但问题是绝大多数接口电路仍然是为 5V
电源而设计的。这就意味着,作为设计人员,我们
现在面临着连接 3.3V 和 5V 系统的任务。此外,
这个任务不仅包括逻辑电平转换,同时还包括为
3.3V 系统供电、转换模拟信号使之跨越 3.3V/5V 的
障碍。