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雪崩光电二极管AD500-9 详细介绍
雪崩光电二极管AD500-9 详细介绍
详细介绍
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雪崩光电二极管AD500-9 详细介绍 做电路的参考资料
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雪崩光电二极管的特性
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雪崩光电二极管的工作原理
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概念 在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。 主要特性 ①雪崩增益系数M（也叫倍增因子），对突变结式中V为反向偏压，VB为体雪崩击穿电压；n与材料、器件结构及入射波长等有关，为常数，其值为1～3。 ②增益
雪崩二极管原理 雪崩二极管的作用
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在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，
雪崩光电二极管的雪崩发光串扰研究
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在使用时间关联单光子计数的量子保密通信、量子密码术等量子光学领域中，雪崩光电二极管(APD)拥有广泛的应用。然而在其工作过程中，吸收层接收到光子形成载流子，载流子个数在倍增层进行指数型增益，每个载流子通过P-N 结结点均有一定概率发出光子，发出的光子在一定条件下会串扰进入另一个雪崩二极管。在盖革模式下进行单光子探测时，这种串扰光子会严重影响时间关联单光子计数的实验结果。研究了APD 雪崩原理，实验
雪崩光电二极管的光谱响应特性
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在微光成像系统中，为了克服限制微光像增强器和红外成像器件灵敏度提高的技术瓶颈，应用了由探测器输出的光子个数推断出目标特征的光子计数技术。采用雪崩光电二极管作为探测器，将其工作状态设置在盖革模式下。通过分析和计算，雪崩光电二极管可以实现单光子数量级的高灵敏度探测。根据夜天光的光谱分布特点和典型目标的反射特性，仿真得到了在晴朗星光环境下雪崩光电二极管与绿色植被、混凝土和暗绿色涂层的光谱匹配因子分别为：
AD500-9_SMD_3001413.pdf
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激光发射管，first sensor datasheet Features Description Application RoHS 2011/65/EU Absolute maximum ratings Spectral response (M = 100) Max 100 70 0.25 Schematic Electro-optical characteristics @ 23 °C Uni
传感器原理及工程应用(复习)
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西北工业大学 传感器原理及工程应用(复习)
雪崩光电二极管(APD)偏置电源及其电流监测-电路方案
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本文提供的参考设计用于实现APD偏置电源及其电流监测。基于MAX15031 DC-DC转换器，该电路能够将2.7V至11V范围的输入电压经过DC-DC电源转换器后得到一个70V、4mA电源。 本文列出了参考设计的主要规格、详细的原理图以及材料清单。 设计规格与配置 2.7V至11V较宽的输入电压范围 70V输出电压 4mA输出电流 400kHz固定开关频率 -40°C至+125°C工作温度范围 微
可作光子计数的雪崩光电二极管
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雪崩光电二极管原理结构
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雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构（即N+PIP+型结构，P+一面接收光），工作时加较大的反向偏压，使得其达到雪崩倍增状......
介绍APD雪崩二极管原理
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本文件详细的介绍了APD雪崩二极管的工作原理，让初学者懂得其工作原理
增益和速度俱佳的雪崩光电二极管
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如何选用雪崩光电二极管
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汽车防撞系统中的非接触测距研究
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采用高精度时间数字转换芯片TDC-GP22、高性能STM32单片机作为主控器，SPLLL90_3半导体激光二极管、AD500-9作为接收的光电探测器，单片机通过SPI接口技术读取测量结果，经单片机处理后的数据传给LCD12864显示器。...
雪崩光电二极管应用特性的仿真研究
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雪崩光电二极管应用特性的仿真研究，优秀范例
雪崩光电二极管探测性能的分析与仿真
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为了合理设置雪崩光电二极管(APD)探测器的偏压, 在恒定温度下实现倍增因子可调, 分析了APD探测器的工作原理及影响其探测灵敏度的因素, 并在室内对APD探测器的探测灵敏度进行测试。实验结果表明: 当通信速率为10~2000 Mb·s-1时, 探测灵敏度可达-47~-34 dBm; 当偏压为55.0~70.0 V时, 10,100,1000 Mb·s-1通信速率下的探测灵敏度分别提高了5.7,6
InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管仿真设计
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设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管（APD），并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计，省略了保护环等结构；并使用双层掺杂，有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单，因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异，因此器件具有较低的噪声因子。
元器件应用中的雪崩光电二极管反向电流的测量
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雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度、高速度的光电二极管。施加反向电压时，能启动其内部的增益机构。APD的增益可以由反向偏置电压的幅度来控制。反向偏置电压越大增益就越高。APD在电场强度的作用下工作，光电流的雪崩倍增类似于链式反应。APD应用于对光信号需要高灵敏度的各种应用场合，例如光纤通讯、闪烁（scintillation）探测等。 对APD的测量一般包括击穿电压、响应度和反向偏置电流等
用于紫外区的碳化硅雪崩光电二极管
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雪崩光电二极管反向电流的测量
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测量APD的反向偏置电流需要一种能够在很宽范围内测量电流并且能输出扫描电压的仪器。由于这种要求，吉时利6487型皮安计电压源或者6430型亚飞安（Sub-Femtoamp）源-表等仪器对于这类测量工作是非常理想的。
行业-电子政务-平面型雪崩光电二极管.zip
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锗雪崩光电二极管光接收元件研制成功
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日本电气公司和电信电话公司武野藏电气通信研究所共同研制出一种可靠性好，而且实用的锗雪崩光电二极管光接收元件，该元件在波长为1.3微米处暗电流和量子效率良好。这一成果发表在四月份举行的电子通信学会光-量子电子学研究会上。
硅雪崩光电二极管单光子探测器
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讲的挺详细的，没有什么源代码，有不少电路图
串口助手工具合集.zip
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收集整理常用的一些串口工具，比如串口波形显示，modbus协议调试，串口多条发送等各种功能软件。
OLED显示温度和时间-STM32F103C8T6（完整程序工程+原理图+相关资料）.zip
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OLED 屏幕显示时间，温度。时间可以校准，屏幕通过取模，可以显示汉字。
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使用pn532实现。手环模拟加密门禁卡的一些必需软件，包括M1T-v1.6.6、M1T-v1.6.6、驱动等。
Vivado license 永久
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2018.3测试可用，各种IP超级齐全，测试了srio可用，Jesd等IP均显示正常，理论上所有版本应该都支持，大家下来看看。
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