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MOSFET

数据表参数

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AN11158

理解功率 MOSFET 数据表参数

修订版：3 — 2013 年 1 月 7 日应用笔记

文档信息

信息内容

关键词

MOSFET。

摘要

本应用笔记描述了功率 MOSFET 数据手册参数的内容

AN11158

应用笔记修订版：3 — 2013 年 1 月 7 日

3/24

恩智浦半导体

AN11158

理解功率 MOSFET 数据表参数

1. 前言

本用户手册解释恩智浦半导体公司的功率 MOSFET 数据手册中提供的参数和图表。其目标

是帮助工程师确定针对特定应用的最佳器件。

必须注意所列参数的使用条件，因为它们会随器件供应商的不同而有所不同。这些条件可能

会影响参数值，使得难以在不同供应商之间作出选择。整篇文档以 BUK7Y12-55B 数据手册

举例说明。 BUK7Y12-55B 是一款符合汽车工业标准的器件，采用 SOT669 (LFPAK56) 封

装，额定电压为 55 V。

该数据手册的布局代表了恩智浦功率 MOSFET 数据手册的一般布局情况。

恩智浦功率 MOSFET 针对特定应用而设计。例如，当主要考虑开关损耗时，便尽可能减少

开关电荷；而主要考虑导通损耗时，则尽可能降低导通电阻。

2. 数据手册技术部分

2.1 产品简介

本节提供器件概览，为设计人员提供器件适用性的关键信息。简介部分描述了所用的技术，

列出了关键特性和示例应用。

快速参考数据表包含目标应用的更多详细信息和关键参数。有关快速参考数据表的示例，参

见表

1 “快速参考数据”

描述参数的一般格式是给出正式符号，然后给出正确参数名称。所有相关条件和信息均在参

数名称后列出。参数值和数值的单位在最后两列中输入。所有条目均符合 IEC60747-8 标

准。

有关快速参考数据参数的详细描述，参见数据手册的特性部分。以下列表介绍并解释了某些

关键问题：

表 1. 快速参考数据

符号参数条件最小

值

典型

值

最大

值

单位

漏极 - 源极电压 T

≥ 25 °C ； T

≤ 175 °C

--55V

漏极电流 V

= 10 V ； T

= 25 °C ；

图

--61.8A

tot

总功耗 T

= 25 °C ；表 3

--105W

静态特性

DS(on)

漏极 - 源极导通电阻 V

= 10 V ； I

= 20 A ；

=25 °C；

-8.212mΩ

动态特性

栅极 - 漏极电荷 I

= 20 A ； V

= 44 V ；

= 10 V ；

- 14.8 - nC

雪崩耐受性

DS(AL)S

非重复漏极 - 源极雪崩能量 I

= 61.8 A ； V

sup

≤ 55 V ；

= 50 Ω ； V

= 10 V ；

j(init)

= 25 °C：未箝位

--129mJ

AN11158

应用笔记修订版：3 — 2013 年 1 月 7 日

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恩智浦半导体

AN11158

理解功率 MOSFET 数据表参数

- 器件在关断状态下，保证阻隔的漏极和源极之间的最大电压。本节数据手册涉及最常

用的温度范围，而非器件的全温度范围。

- 器件能承受的最大连续电流；底座持续保持在 25 °C，器件完全导通。在表 1 的示例中，

要求 V

为 10 V。

tot

- 器件可消耗的最大连续功率；底座持续保持在 25 °C。

DS(on)

（漏极 - 源极导通电阻） - 在所描述的条件下，器件处于导通状态的典型和最大电

阻。R

DS(on)

会随结温 (T

) 和栅极 - 源极电压 (V

) 的变化而大幅改变。数据手册提供图表，

帮助确定不同条件下的 R

DS(on)

值。

（栅极 - 漏极电荷） - 与开关损耗有关的重要开关参数；其他重要参数还有 Q

和

G(tot)

。 Q

与 R

DS(on)

成反比，因此在 R

DS(on)

和 Q

之间作出适当权衡对实现最佳电路

性能而言非常关键。

OSS

（输出电荷）- 一个在现代 MOSFET 中越来越重要的开关参数；其他开关参数已经优

化。

DS(AL)S

（非重复漏极 - 源极雪崩能量）- 描述了超过器件额定 V

值的任意电压峰值或脉

冲允许的最大电能。超过该额定值则可能导致器件损坏。该参数描述了通常称为“耐受性”

的特性，表示器件耐受过压事件的能力。

2.2 引脚配置信息

本节描述了器件的内部连接和一般布局。请注意，符号代表增强型 N 沟道 MOSFET，其源

极与本体相连，并且在源极和漏极之间并联一个二极管。并联二极管称为 “本体二极管”，

为功率 MOSFET 本身所固有。 N 沟道功率 MOSFET 在漏极和源极之间存在本体二极管，

如表

2 所示。

2.3 订购信息

订购部分提供如何订购器件的信息。

2.4 限值

限值表提供允许用于 MOSFET 的操作条件范围。条件根据 “绝对最大额定值体系

(IEC60134)”定义。这些条件以外的工作性能得不到保证，因此建议不要超出这些数值，否

则可能导致器件立即产生故障或缩短 MOSFET 使用寿命。给定的雪崩耐受性条件描述了可

超出 V

额定值的限制条件。

若要计算限值如何随温度而改变，则需随所提供的降额曲线一同读取。

表 2. 引脚配置

引脚符号说明外形简图图形符号

源极

栅极

mb D

底座：与漏极相连

1234

mbb076

AN11158

应用笔记修订版：3 — 2013 年 1 月 7 日

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恩智浦半导体

AN11158

理解功率 MOSFET 数据表参数

BUK7Y12-55B 的限值表作为标准限值表的示例供参考，参见表 3。

[1] 单脉冲雪崩额定值受限于 175 °C 的最大结点温度

[2] 重复雪崩额定值受限于 170 °

C 的平均结点温度

[3] 更多信息，请参见应用笔记 AN10273

（漏极 - 源极电压）- 在指定温度范围内，保证器件在关断状态下阻隔的漏极和源极之间

的最大电压。对于 BUK7Y12-55B 而言，其温度范围为 +25

°C 至 +175 °C。对于低于 25 °C

下的工作，由于雪崩击穿温度系数为正， V

额定值下降。本文档的章节 2.4.1 论述了此

内容。

（栅极 - 源极电压） - 指定器件阻断的栅极和源极之间的最大电压。某些恩智浦数据手

册指定不同的直流和脉冲 V

值。此时，在最大 T

情况下，直流值在器件使用寿命期限内

保持恒定的栅极电压值，而较高的脉冲额定值则针对最大指定 T

下持续时间较短的指定累

积脉冲。

栅极氧化层的寿命随温度的增加和 / 或栅极电压的增加而降低。这表示较低结点温度下引述

的 V

寿命或额定值远高于较高温度下的指定值。比较不同制造商的数据手册数值时，这

一点很重要。

DGR

（漏极 - 栅极电压）通常与 V

额定值相等。

表 3. 限值

据 “绝对最大额定值体系

IEC 60134

”

符号参数条件最小

值

典型

值

最大

值

单位

漏极 - 源极电压 T

≥ 25 °C ； T

≤ 175 °C

--55V

DGR

漏极 - 栅极电压

=20 kΩ --55V

栅极 - 源极电压

−20 - +20 V

漏极电流 V

= 10 V ； T

= 25 °C ；

表

1 ；图 1

- - 61.8 A

= 10 V ； T

= 100 °C ；

表

- - 43.7 A

峰值漏极电流 V

= 10 V ； T

= 25 °C ；

脉冲；图

- - 247 A

tot

总功耗

= 25 °C - - 105 W

stg

存储温度

−55 - +175 °C

结点温度

−55 - +175 °C

源极 - 漏极二极管

源极电流

= 25 °C - - 61.8 A

峰值源极电流 t

≤ 10 μs ；脉冲；

=25 °C

- - 247 A

雪崩耐受性

DS(AL)S

非重复漏极 - 源极雪

崩能量

= 61.8 A ； V

sup

≤ 55 V ；

=50 Ω ； V

= 10 V ；

j(init)

= 25 °C：未箝位

- - 129 mJ

DS(AL)R

重复漏极 - 源极雪崩

能量

参见图 3

[1][2][3]

--- mJ

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baotong1967

2018-09-24

Thank you very much!

frood88

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