三星Nand Flash芯片型号命名规则(Code Information)
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2012-08-08
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Part Number Decoder
Last Updated : August 2009
1. Memory (K)
2. NAND Flash : 9
3. Small Classification
(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,
SM : SmartMedia, S/B : Small Block)
1 : SLC 1 Chip XD Card
2 : SLC 2 Chip XD Card
3 : 4bit MLC Mono
4 : SLC 4 Chip XD Card
5 : MLC 1 Chip XD Card
6 : MLC 2 Chip XD Card
7 : SLC moviNAND
8 : MLC moviNAND
9 : 4bit MLC ODP
A : 3bit MLC MONO
B : 3bit MLC DDP
C : 3bit MLC QDP
F : SLC Normal
G : MLC Normal
H : MLC QDP
K : SLC Die Stack
L : MLC DDP
M : MLC DSP
N : SLC DSP
O : 3bit MLC ODP
P : MLC ODP
Q : SLC ODP
R : MLC 12-die stack
S : MLC 6 Die Stack
T : SLC SINGLE (S/B)
U : MLC 16 Die Stack
W : SLC 4 Die Stack
4~5. Density
12 : 512M 16 : 16M 28 : 128M
32 : 32M 40 : 4M 56 : 256M
64 : 64M 80 : 8M 1G : 1G
2G : 2G 4G : 4G 8G : 8G
AG : 16G BG : 32G CG : 64G
DG : 128G EG : 256G FG : 256G
GG : 384G HG : 512G LG : 24G
NG : 96G ZG : 48G 00 : NONE
6. Technology
0 : Normal (x8) 1 : Normal (x16)
C : Catridge SIP D : DDR
M : moviNAND N : moviNAND FAB
P : moviMCP T : Premium eSSD
Z : SSD
7. Organization
0 : NONE 8 : x8
6 : x16
8. Vcc
A : 1.65V~3.6V B : 2.7V (2.5V~2.9V)
C : 5.0V (4.5V~5.5V) D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)
E : 2.3V~3.6V R : 1.8V (1.65V~1.95V)
Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V) T : 2.4V~3.0V
S : 3.3V (3V~3.6V/ VccQ1.8V (1.65V~1.95V)
U : 2.7V~3.6V V : 3.3V (3.0V~3.6V)
W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V 0 : NONE
9. Mode
0 : Normal
1 : Dual nCE & Dual R/nB
3 : Tri /CE & Tri R/B
4 : Quad nCE & Single R/nB
5 : Quad nCE & Quad R/nB
6 : 6 nCE & 2 RnB
7 : 8 nCE & 4 RnB
8 : 8 nCE & 2 RnB
9 : 1st block OTP
A : Mask Option 1
L : Low grade
10. Generation
M : 1st Generation
A : 2nd Generation
B : 3rd Generation
C : 4th Generation
D : 5th Generation
E : 6th Generation
Y : 25th Generation
Z : 26th Generation
NAND Flash Code Information(1/3)
K 9 X X X X X X X X - X X X X X X X
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