STM32F4xx内部flash读写(优化后可靠稳定)

#include "stm32f4xx_flash.h" #include "stm32f4xxflash.h" void flashDelay(int n) { while(n-- > 0); } /* //名称：FlashSave //功能：flash 保存功能 //参数： // p 要保存的数据。 // n 要保存的数据个数。 void FlashSave(char * p , int n ) { int i; FLASH_Unlock(); //解锁 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_OPERR|FLASH_FLAG_WRPERR| FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR); //清标志 FLASH_EraseSector(FLASH_OPR_SECTOR , VoltageRange_3); //擦除扇区 for(i = 0 ; i < n ; i++) { FLASH_ProgramByte(FLASH_SAVE_ADDR + i,p[n]);//写字节 } FLASH_Lock();//加锁 } //名称：FlashSave //功能：读取flash内数据 //参数： // p 读取的数据存放的地方 // n 要读取的数据个数。 void FlashLoad(char * p , int n ) { volatile int i; volatile char * addr=(char *)FLASH_SAVE_ADDR; FLASH_Unlock(); //解锁 //FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_OPERR|FLASH_FLAG_WRPERR| // FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR); //清标志 //FLASH_EraseSector(FLASH_OPR_SECTOR , VoltageRange_3); //擦除扇区 for(i = 0 ; i < n ; i++) { p[n] = addr[i]; //FLASH_LoadByte(FLASH_SAVE_ADDR + i,p[n]);//写字节 } FLASH_Lock();//加锁 } #define DATA_32 ((uint32_t)0x87654321) void flashtest(void ) { volatile int MemoryProgramStatus; int Address; int StartSector; int EndSector; int i; volatile int data32; FLASH_Unlock(); //解锁FLASH后才能向FLASH中写数据。 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR); // Get the number of the start and end sectors // StartSector =FLASH_Sector_10;// GetSector(FLASH_Sector_10); //获取FLASH的Sector编号 EndSector = FLASH_Sector_10;//GetSector(FLASH_Sector_10); //擦除FLASH for (i = StartSector; i < EndSector; i += 8) //每次FLASH编号增加8，可参考上边FLASH Sector的定义。 { /// Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will //be done by word if (FLASH_EraseSector(i, VoltageRange_3) != FLASH_COMPLETE) { while (1) { } } } //擦除完毕// //开始写入// Address = FLASH_SAVE_ADDR; while (Address < FLASH_SAVE_ADDR + 64) { if (FLASH_ProgramWord(Address, DATA_32) == FLASH_COMPLETE) //将DATA_32写入相应的地址。 { Address = Address + 4; } else { // Error occurred while writing data in Flash memory. User can add here some code to deal with this error while (1) { } } } FLASH_Lock(); //读FLASH不需要FLASH处于解锁状态。 //读出数据 检查写入值是否正确 Address = FLASH_SAVE_ADDR; MemoryProgramStatus = 0x0; while (Address < FLASH_SAVE_ADDR + 64) { data32 = *(__IO uint32_t*)Address; //读FLASH中的数据，直接给出地址就行了。跟从内存中读数据一样。 if (data32 != DATA_32) { MemoryProgramStatus++; } Address = Address + 4; } } */ // ///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// //读取指定地址的半字(16位数据) //faddr:读地址 //返回值:对应数据. u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr) { return *(vu32*)faddr; } // //获取某个地址所在的flash扇区 //addr:flash地址 //返回值:0~11,即addr所在的扇区 uint16_t STMFLASH_GetFlashSector(u32 addr) { if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_1)return FLASH_Sector_0; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_2)return FLASH_Sector_1; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_3)return FLASH_Sector_2; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_4)return FLASH_Sector_3; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_5)return FLASH_Sector_4; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_6)return FLASH_Sector_5; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_7)return FLASH_Sector_6; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_8)return FLASH_Sector_7; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_9)return FLASH_Sector_8; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_10)return FLASH_Sector_9; else if(addr<ADDR_FLASH_SECTOR_11)return FLASH_Sector_10; return FLASH_Sector_11; } //从指定地址开始写入指定长度的数据 //特别注意:因为STM32F4的扇区实在太大,没办法本地保存扇区数据,所以本函数 // 写地址如果非0XFF,那么会先擦除整个扇区且不保存扇区数据.所以 // 写非0XFF的地址,将导致整个扇区数据丢失.建议写之前确保扇区里 // 没有重要数据,最好是整个扇区先擦除了,然后慢慢往后写. //该函数对OTP区域也有效!可以用来写OTP区! //OTP区域地址范围:0X1FFF7800~0X1FFF7A0F //WriteAddr:起始地址(此地址必须为4的倍数!!) //pBuffer:数据指针 //NumToWrite:字(32位)数(就是要写入的32位数据的个数.) void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToWrite) { FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE; u32 addrx=0; u32 endaddr=0; int SectorStart,SectorEnd; if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4)return; //非法地址 FLASH_Unlock(); //解锁 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR); FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存 addrx=WriteAddr; //写入的起始地址 endaddr=WriteAddr+NumToWrite*4; //写入的结束地址 SectorStart = STMFLASH_GetFlashSector(addrx); SectorEnd = STMFLASH_GetFlashSector(endaddr); if(addrx<0X1FFF0000) //只有主存储区,才需要执行擦除操作!! { //while(addrx<endaddr) //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除) while(SectorStart <= SectorEnd) //扫清一切障碍.(对非FFFFFFFF的地方,先擦除) { if(STMFLASH_ReadWord(addrx)!=0XFFFFFFFF)//有非0XFFFFFFFF的地方,要擦除这个扇区 { status=FLASH_EraseSector(SectorStart,VoltageRange_3);//VCC=2.7~3.6V之间!! if(status!=FLASH_COMPLETE) break; //发生错误了 }else SectorStart += 8; } } if(status==FLASH_COMPLETE) { while(WriteAddr<endaddr)//写数据 { if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)//写入数据 { break; //写入异常 } WriteAddr+=4; pBuffer++; } } FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); //FLASH擦除结束,开启数据缓存 FLASH_Lock();//上锁 } //从指定地址开始读出指定长度的数据 //ReadAddr:起始地址 //pBuffer:数据指针 //NumToRead:字(4位)数 void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u32 NumToRead) { u32 i; //FLASH_Unlock(); for(i=0;i<NumToRead;i++) { pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);//读取4个字节. ReadAddr+=4;//偏移4个字节. } // FLASH_Lock();//上锁 } u8 TEXT_Buffer[]={"STM32:FLASH TEST"}; #define TEXT_LENTH sizeof(TEXT_Buffer) //数组长度 #define SIZE TEXT_LENTH/4+((TEXT_LENTH%4)?1:0) /*设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且所在扇区,要大于本代码所占用到的扇区.否则, *写操作的时候,可能会导致擦除整个扇区,从而引起部分程序丢失.引起死机.*/ void STMFLASH_test(void) { volatile char datatemp[20]; //STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,1); //delay(10000000); STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE); flashDelay(10000000); STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)TEXT_Buffer,SIZE); flashDelay(50000000); STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR,(u32*)datatemp,SIZE); flashDelay(50000000); }