IR2110驱动电路设计
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2014-08-10
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3 IR2110 驱动电路设计
IR2110 是一种高压高速功率 MOSFET 驱动器，有独立的高端和低端输出驱动通道，其内
部
功能原理框图如图 1 所示。它包括输入/输出逻辑电路、电平移位电路、输出驱动电路欠压
保护和自举电路等部分。各引出端功能分别是： 1 端(LO)是低通道输出；2 端(COM)是公
共端；);3 端(VCC)是低端固定电源电压；5 端(US)是高端浮置电源偏移电压；6 端(UB)是
高端浮置电源电压；7 端(HO)是高端输出；9 端(VDD)是逻辑电路电源电压；10 端(HIN)
是高通道逻辑输入；11 端(SD)是输入有效与否的选择端，可用来过流过压保护； 12 端
(LIN)是低通道输入；13 端(VSS)是逻辑电路的地端。
R1
R2
D2
D4
D1
C1
D3
C2 R3 D5
C3
R4 D6
1
2
3
4
J2
1
2
J1
LO
1
COM
2
VCC
3
VS
5
VB
6
HO
7
VDD
9
HIN
10
SD
11
LIN
12
VSS
13
IR2112
COMPONENT_1
Q1( G)
Q1(S)
Q2( G)
Q2( S)
如图所示：在 BUCK 变换器中只需驱动单个 MOEFET，因此仅应用了 IR2110 的高端驱动
此时将 12 端(LIN)低通道输入接地、1 端(LO)低通道输出悬空。5 端(US)和 6 端(UB)间连
接一个自举电容 C1，自举电容通常为 和 并联使用。正常工作时，电源对自举
电容 C1 的充电是在续流二级管 D1 的导通期间进行。此时，MOEFET 截止，其源极电位
接近地电位，,+12v 电源通过 D2 给 C1 充电，使 C1 上的电压接近+12v，当 MOEFET
导通而 D1 截止时，C1 自举，D2 截止，C1 上存储电荷为 IR2110 的高端驱动输出提供电
源。
实际应用中，逻辑电源 VDD 接+5V，低端固定电源电压 VCC 接+12V；对驱动电路测试
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